Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取

采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符．     

异质结双极晶体管的能带设计

异质结双极晶体管(HBT)是一种新型的超高速、微波与毫米波半导体器件,可以有效地解决同质结双极晶体管中高速度与高放大的关系。本文以AlGaAs/GaAs npn HBT为例,讨论了HBT能带设计中的有关问题,并简要介绍了HBT的研究现状与发展方向。     

谐振隧道二极管

由于外延技术的快速发展与进步,作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件（ＲＴＤ）引起的学术界的密切关注。ＲＴＤ可使电路密度增大,速度提高,且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管。文中分析了谐振隧道二极管的工作原理、重要物理现象,并对有关设计问题进行了讨论。     

一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构

本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构.即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管,来减小其所受电应力.经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2.0对倒相器的模拟结果表明:该结构使衬底电流降低约50%,器件的热载流子退化效应明显改善而不会增加电路延迟;且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现,工艺简明可行又无须增加芯片面积.     

用于高速工作的垂直DMOS功率FET的优化设计

本文讨论了用作高速开关和放大的平面型垂直DMOS FET的优化设计,出了能用于亚ns(毫微秒)开关的高压器件的设计考虑,并讨论了这种器件的版图设计和制造要求。然后评述了用于生产高速垂直DMOS FET的制造流程。工艺中的关键与特色是包括自对准多晶硅栅、全离子注入结、浮置的扩散保护环和金基金属化。用这种工艺作出的器件的重要电特性是漏—源击穿电压(BVDSS)>100V、共源截止频率(fco)=2GH_z。探讨了短沟DMOS器件的直流和交流特性模型。器件在测试电路中的性能表明,平面型垂直DMOS将是一种很好的高速、高压开关器件。     

SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率-应变工程技术的重要作用.介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况.     

如何选择外延生长条件?

这里我们讨论Si气相外延生长的问题。 我们知道,对外延工艺最基本的要求就是要能精确控制外延层的厚度和保证外延层的单晶晶体质量。而这与外延生长速度的快慢及其精确控制直接有关。若能精确控制外延生长速度,则就能实现对外延层厚度的精确控制。外延晶体质量显然是与生长速度有关的。因为,若生长速度太快,以致Si原子来不及在Si片表面上整齐排列,则必将造成缺陷以至发展成为多晶层。下面就从考虑生长速度出发来讨论如何选择外延条件,以满足厚度控制和晶体质量的要求。     

CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．     

HEMT的一维I－V参数提取

自从Ｍｉｍｕｒａ等人１９８０年首次研制出了第一只高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ），其优越的电子传输性能备受注目，可望在超高速数字电路和逻辑集成电路中得到广泛应用。本文采用Ｘｉａ等人提出的三段速－场公式，在考虑了３００Ｋ时场相关迁移率、沟道长度调制效应以及串联源、漏电阻等效应的基础上，又加入了Ａｌ＿ｘＧａ＿（ａｌ－ｘ）Ａｓ的组分ｘ的调制效应，以适应能带工程和高性能电路的需要；推导并求解ｘ＞０．３的Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的直流Ｉ－Ｖ特性。计算结果与理论值符合良好。