低激励电压微波MEMS开关的理论分析和仿真

通过对独特的MEMS微波开关模型的理论分析,并用ConventorWare和ADS软件对其微机械结构和射频性能进行仿真,得出该开关工作在DC-4GHz时,插入损耗<1dB,在2GHz的隔离度>40dB,激励电压<5V。可知这种独特的MEMS微波开关模型利用扭转臂和杠杆的原理来达到比较低的激励电压,并且获得较高的隔离度。     

一种四通道X波段放大组件的研制

为适应微波电路高性能、高可靠、多功能、小型化的发展趋势,介绍了一种四通道一体化设计的具有限幅功能的x波段放大组件。该组件利用微波混合集成电路工艺和芯片微组装工艺实现,阐述了其小型化设计方法。测试结果表明：该组件尺寸为52mm×56mm×14mm,电性能达到指标要求。     

MEMS微波开关的设计与仿真

开关是微波信号变换的关键器件之一。在射频，微波集成电路中，已经大量使用的场效应管FET和半导体二极管PIN等半导体开关，由于其工作频率较低、插入损耗较大、隔离度较低、固有的非线性特性和功耗较大，导致半导体开关存在许多缺陷。随着微机电系统MEMS(Micro Electronic Mechanical System)技术的出现和快速发展，MEMS开关得到了广泛的研究和应用，和半导体开关相比，MEMS开关具有插入损耗较低、隔离度较高，并且消除了由于半导体结引起的I-V非线性等特点。