半绝缘砷化镓晶体的制备及性能

一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入工艺,衬底材料与器件的关系更为密切。实验证明,不论作为外延衬底还是离子注入衬底,材料的热稳定性和均匀性是影响FET器件的主要因素之一,特别是热稳定性的影响更大。为满足FET器件的要求,我们采用了控制掺杂剂,改变掺杂量以及避免晶体生长过程中的沾污,研制了热稳定性,均匀性较好的半绝缘晶体材料。     

高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响

本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时,Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小,迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响,本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ,发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变,Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．     

薄膜太阳能电池异型布拉格背反射结构设计与制作

根据多光束干涉原理设计出用于薄膜太阳能电池的异型布拉格背反射器(IDBR).该异型布拉格背反射结构由两对非晶硅(36.5 nm)/二氧化硅(81 nm)分布式布拉格反射器(DBR)结构与三对非晶硅(73 nm)/二氧化硅(162 nm)DBR结构组合而成.讨论了不同结构的背反射器性能,分析了IDBR中心波长与层数的选择...