排序方式: 共有25条查询结果,搜索用时 500 毫秒
1.
2.
3.
4.
如在一种二元的化合物半导体(AB)晶片上外延一层三元化合物(A_1-xB_xC)薄膜,则由于衬底与薄膜的点阵参数不同,在界面附近将产生错配应变ε,甚致产生错配位错,并使晶片弯曲.这种应变有时很小,曲率半径R则往往很大,用一般的实验方法不易测量.然而,X射线双晶(或三晶)衍射方法对这类应变及弯曲却非常灵敏.根据测得的表面应变值以及平均的曲率半径,还可对组分x值进行定量计算.这些测量不但可以同时在晶片同一点处进行,而且是非破坏性的,因此有较大的实用意义.这一方法可以简称为ε-R-x技术,本文介绍用一种三晶衍射方法代替通常的双晶衍射法对… 相似文献
5.
Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过X射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Si(001)上生长的GexSi1-x/Si(x≈0.46)应变层超晶格在不同退火条件下的稳定性和结构变化,结果表明:在退火过程中,应变层发生了应变弛豫,其弛豫时间常数与退火温度有关,弛豫的激活能为0.55eV.同时,退火过程中超晶格的层与层之间发生了互扩散,直至为均一成份的合金层,平均扩散激活能为2.7eV,950℃时的扩散系数DT=950℃=1.1e-20m2/s.在退火过程中外延层的晶体完整性明显下降. 相似文献
6.
7.
一、引 言 X射线衍射貌相术(简称X射线貌相术)是利用X射线在晶体中衍射的动力学及运动学衍衬原理,根据晶体中完整及非完整部分衍射的衬度变化及消光规律,来检查晶体材料及器件表面和内部微观结构缺陷的一种方法.随着半导体、激光等科学技术的发展和近完整晶体材料的大量使用,自五十年代末期以来,X射线貌相术的实验和理论有了很大发展,逐渐形成为一种有效的检验手段和一门分支学科[1-3]. X射线貌相术具有下列一些主要优点: 1.用这种方法检查晶体或器件中的缺陷时,通常对样品本身以及其中所含的缺陷状态均具有完全的非破坏性,样品检查后可以… 相似文献
8.
9.
一、双晶衍射仪的原理 当一束入射X射线射入第一晶体A后,从A晶体出来的衍射线,又作为第二晶体B的入射线,从B晶体出来的衍射线用计数管或底片接收进行分析.双晶衍射仪中两个晶体通常处于(n,-n)平行衍射位置.仪罩工作时,第二晶体的转角θ稍微转动,用来记录它的摆动曲线(积分曲线),以测量试样表面层的微量应变或点阵常数的微小变化. 二、仪器的理论精度 分析了W.L.Bond[1]设计的多用途双晶X射线测角仪,就可绘出双晶衍射仪的衍射几何. 测量双晶衍射仪精度的方法,是用铜Ka1辐射作硅(111)面的摆动曲线,测量半峰高宽度(简称半峰宽),再和理论计… 相似文献
10.