压电陶瓷振子的谐振频率温度稳定性分析

本文由压电陶瓷中铁电畴极化取向的程度以及绝热条件下的压电方程组出发,推导出压电陶瓷振子谐振频率温度系数T_kf以晶格热膨胀系数、剩余极化强度等为变量的表达式。用“纯”Pb(Zr_xTi_1-x)O₃(锆钛酸铅)的实验数据代入表达式计算,得到准同型相界附近组成的T_kf对Zr/Ti的关系曲线,与实验结果较好地符合。由本文的结论,成功地解释了极化工艺及热处理工艺对T_kf的影响,并讨论了改善压电陶瓷的频率温度稳定性的可能途径。     

铁电单晶(KxNa1-x)0.4(SryBa1-y)0.8Nb2O6的光学性质和线性电光效应

本文介绍铁电单晶(K_xNa_1-x)_0.4(Sr_yBa_1-y)_0.8Nb₂O₆的光学性质和线性电光效应的测量。实验结果表明,这种晶体具有较大的光学双折射,透光范围由4000?到5.6μm。晶体具有低的线性电光调制的半波电压,其电光调制价值指数n₀³·γ_c高达730×10 关键词：     

掺Mn,Nb和Ce量对PbTiO_3陶瓷系列的介电、热电性能的影响

PbTiO3是钙钛矿型铁电体,采用一般方法烧结的纯PbTiO3陶瓷,因样品通过居里温度Tc≈500℃冷却时,由于晶轴方向的热膨胀系数差异较大,使晶界产生较大的应力,导致样品自行粉碎或使各种性能变坏.因而,在铅系压电陶瓷材料中常掺入微量Mn,Nb和Ce等元素,使材料的压电性能得到改善,这是达到实用化的一种比较普遍的方法. 我们对(xPbTiO3 yPbCeO3 zPbNb2O6) mMnO2(0≤y≤0.05,0≤z≤0.0 8,x y z=1.00,0≤m≤ 0.015)系列陶瓷,研究了不同掺杂量对材料的介电和热电性能的影响,以便按照实用要求决定最佳Mn,Nb和Ce的添加量. 材料为xPbTiO3 yPbC…     

高压陶瓷变压器

本文介绍了压电陶瓷变压器的工作原理和试制样品各种性能的测试结果．试制的陶瓷变压器在半波谐振模式、输出端开路时,交流输出的升压比为 ４５０;当负载电阻＞２０兆欧时,交流输出升压比不低于３２０．在半波谐振模式、四倍压整流、负载阻抗匹配的工作状态下,变压器最大输出功率为１９瓦,升压比可达到６２０,最大效率在８８％以上．在使用上作了一些试验,效果良好．     

PLZT非晶薄膜光学性质研究

用溶胶－凝胶技术制备了化学组分为５／５０／５０的ＰＬＺＴ非晶薄膜。测试其２００￣８００ｎｍ波长范围的光学透射谱,和２００￣６７０ｎｍ波长范围的椭偏光谱。得到了ＰＬＺＴ（５／５０／５０）非晶薄膜膜厚和光学常数谱（折射率ｎ谱和消光系数κ谱）,并与组分为９／６５／３５的ＰＬＺＴ非晶薄膜的吸收边和折射率进行了比较。     

铁电晶体Pb_xBa_(1-x)Nb_2O_6和掺Li,Na的Pb_xBa_(1-x)Nb_2O_6的结构和电弹张量的测定

用提拉法从熔体中生长出Pb_(0.37)Ba_(0.63)Nb_2O_6和Pb_(0.30)Ba_(0.533)Na_(0.306)Li_(0.028)Nb_2O_6 两种铁电单晶。用X射线衍射方法分析了两种单晶的结构,结果表明,室温时两种晶体都属于四方晶系点群4mm。测定晶格参数得PBN晶体的a=12.493A和c=3.98A;掺Li,Na的PBN晶体的a=12.493A和c=3.970A。测定了两种晶体全部各52个电弹张量的分量,结果表明PBN晶体具有优良的压电性,其中压电系数d_15=108×10~(-12)C/N。这种晶体很有希望用作与厚度切变模式有关的压电换能器材料。掺Li,Na的PBN晶体的介电常数显著降低,而铁电居里点有明显的提高。     

铁电-顺电扩散相转变的实验和统计模型

制备了扩散相转变铁电陶瓷系列(Ba_1-xLa_x)(Ti_1-yZr_y)O₃和扩散-非扩散相变铁电单晶系列K_0.2Na_0.2(Sr_pBa_1-p)_0.8Nb₂O₆。陶瓷采用一般铁电陶瓷制备工艺,单晶采用提拉法生长。测量了所有样品在-50—100℃范围内 关键词：     

钨青铜型结构铁电体的低温扩散相转变

对六种钨青铜结构的铌酸盐铁电晶体进行了从15K到室温范围的介电特性及热电特性的研究。分析其介电特性和热电特性与极化电场的关系,用X射线粉末衍射进行佐证。证实在50—70K的范围内,SBN,PBN,KNSBN三类铁电钨青铜型铌酸盐晶体均存在着一个新的相变。相变是由点群4mm铁电相到点群mm2铁电相的转变。铁电自发极化方向由四方晶胞的e轴方向转变到正交晶胞的b轴方向。介电特性的高频及低频测量表明该相变具有扩散(或称瀰散)型特征。比热的实验结果证明相变是属于高于一阶相变的高阶相变。对相变前后的晶胞结构提出了一个模型解释。     

掺Mn的KNSBN晶体上微秒光折变光栅及其稳定性

KNSBN[(K_(1-x)Na_x)_(0.4)Sr_(1-y)Ba_y)_(0.8)Nb_2O_6)晶体是一种光电系数大、灵敏度高的光折变晶体。以前的研究工作表明,KNSBN晶体上光折变光栅的建立和消失时间在几秒到几十秒之间,而光折变光栅的稳定性研究则尚未报道。因而光折变光栅的稳定性研究具有重要的意义。例如,在含有相位共轭过程的光学自动跟踪中,一旦出现不稳定性,自动跟踪将失效。     

掺Mn的KNSBN晶体上附加光束对简并四波混频相位共轭的影响

掺Mn的KNSBN晶体上简并四波混频相位共轭特性作者已作了一些研究,就我们所知,在简并四波混频装置中加入与信号光逆向的附加光束并研究其对相位共轭过程的影响的研究尚未见报道。本文将简要报道这方面的初步研究结果。 实验中晶体光轴平行于工作台面,用连续的He—Ne激光束作为记录光和读出光,记录先垂直于台面偏振,功率为0.25mW,读出光平行于台面偏振,功率为0.34mW,相位共轭光