5G行业专网自管理系统的设计及实现

针对移动通信运营商政企客户在使用5G行业专网服务过程中遇到的自主管理、网络及业务可视化、故障预警和运营保障等方面的痛点问题,提出了一种政企客户可自主管理5G行业专网的解决方法,设计及实现了网络管理、业务监控和数据分析等能力,帮助政企客户快速掌握5G行业专网网络的使用,达到对5G行业专网可视、可管、可控的目的。     

退火处理提高P3HT:PCBM聚合物太阳能电池光伏性能

利用旋转涂膜方法制备了以P3HT:PCBM为有源层的聚合物太阳能电池, 器件结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al(氧化铟锡导电玻璃/聚二氧乙基噻吩:聚对苯乙烯磺酸/聚三已基噻酚:富勒烯衍生物/铝),研究了退火温度对聚合物太阳能电池性能的影响. 实验发现: 聚合物薄膜经过120 °C退火10 min处理后, 开路电压(V_oc)达到0.64 V, 短路电流密度(J_sc)为10.25 mA·cm^-2, 填充因子(FF) 38.1%, 光电转换效率(PCE)达到2.00%. 为了讨论其内在机制, 对不同退火条件下聚合物薄膜进行了各种表征. 从紫外-可见吸收光谱中发现, 退火处理使P3HT在可见光范围内吸收加强且吸收峰展宽, 特别是在560和610 nm处的吸收强度明显增大; X射线衍射(XRD)结果表明, 120 °C退火后P3HT在(100)晶面上的衍射强度是未退火薄膜的2.8倍, 有利于光生载流子的输运; 原子力显微镜(AFM)研究结果表明, 退火显著增大了P3HT与PCBM的相分离程度, 提高了激子解离的几率; 傅里叶变换红外(FTIR)光谱验证了退火并没有引起聚合物材料物性的变化.     

PDP器件中MgO薄膜二次电子发射系数γ的研究

结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中给出γ值的测量结果。通过γ值的测试 ,可以反馈 Mg O保护膜的性能 ,为提高PDP性能提供依据     

荫罩式等离子体显示器Ne-Xe气体放电性能研究

对36cm新型荫罩式等离子显示器(SM-PDP)的气体放电进行了实验,对着火电压、光效、亮度及气压等一系列参数进行实验分析和研究,给出了SM-PDP气体放电的部分性质。     

基于蚁群算法的动态联盟盟友选择问题研究

从整个生产价值链出发,结合层次分析法(AHP),建立盟友选择模型.在对模型研究的基础上,提出了一种基于蚁群算法的动态联盟盟友选择方法.实现整条生产价值链的全局最优.     

热处理对MIM薄膜二极管中Ta2O5 膜表面形貌的影响

采用了一种较为新颖的真空热处理和大气气氛下热处理相结合的热处理工艺，并应用到两种以反应溅射工艺为基础制备出的多层Ta2O5膜样品的后处理上。AFM结果显示，经过真空和大气热处理之后，两种Ta2O5膜样品的表面平整度均得到了较大改善，反映出膜内部结构的致密性也得到了较大提高，这将一定程度改善以该膜为绝缘层的MIM-TFD的漏电流和耐击穿电压等电性能。此外，其中的大气热处理工艺所需要的设备和操作程序非常简单，成本较低，这也为MIM—TFD的后期处理工艺提供了一条新的途径。     

SMPDP中荧光粉层制备方法的对比与研究

荫罩式等离子体显示器（SMPDP）是一种由金属荫罩板代替传统障壁的新型PDP。针对SMPDP结构的特殊性，讨论了丝网印刷法和喷涂法制备荧光粉层的制作工艺，并对比其优劣。实验结果表明：采用喷涂方法可以在SMPDP的荫罩孔内壁制备致密、均匀的荧光粉层，与掩膜配合使用，可在荫罩上制备三基色荧光粉，满足SMPDP实现彩色的需要。因此，喷涂方法是制备SMPDP三基色荧光粉层行之有效的最佳途径。     

荫罩式等离子体显示板中荧光粉制作工艺的研究

针对荫罩式等离子体显示板(SMPDP)结构介绍了一种三色套色喷涂的方法制作方法,利用高压气体膨胀将荧光粉浆料充分雾化,通过掩膜套色分别制作红、绿、蓝三基色荧光粉膜。由于利用喷涂法制作荧光粉膜所需浆料配制简单,无须经过500℃高温烧除有机粘接剂,因此消除了高温工艺对荧光粉的劣化作用,可以有效地提高等离子体显示板的亮度和发光效率。     

退火处理提高P3HT:PCBM聚合物太阳能电池光伏性能

利用旋转涂膜方法制备了以P3HT:PCBM为有源层的聚合物太阳能电池, 器件结构为ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al(氧化铟锡导电玻璃/聚二氧乙基噻吩:聚对苯乙烯磺酸/聚三已基噻酚:富勒烯衍生物/铝),研究了退火温度对聚合物太阳能电池性能的影响. 实验发现: 聚合物薄膜经过120 °C退火10 min处理后, 开路电压(V_oc)达到0.64 V, 短路电流密度(J_sc)为10.25 mA·cm^-2, 填充因子(FF) 38.1%, 光电转换效率(PCE)达到2.00%. 为了讨论其内在机制, 对不同退火条件下聚合物薄膜进行了各种表征. 从紫外-可见吸收光谱中发现, 退火处理使P3HT在可见光范围内吸收加强且吸收峰展宽, 特别是在560和610 nm处的吸收强度明显增大; X射线衍射(XRD)结果表明, 120 °C退火后P3HT在(100)晶面上的衍射强度是未退火薄膜的2.8倍, 有利于光生载流子的输运; 原子力显微镜(AFM)研究结果表明, 退火显著增大了P3HT与PCBM的相分离程度, 提高了激子解离的几率; 傅里叶变换红外(FTIR)光谱验证了退火并没有引起聚合物材料物性的变化.