全文获取类型
收费全文 | 8篇 |
免费 | 20篇 |
国内免费 | 62篇 |
专业分类
化学 | 3篇 |
物理学 | 29篇 |
无线电 | 58篇 |
出版年
2007年 | 1篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 1篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 2篇 |
1998年 | 1篇 |
1996年 | 1篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 9篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 3篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1961年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有90条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应 总被引:1,自引:1,他引:0
超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。 相似文献
2.
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-Si,C1-x-H)膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响。结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对饵的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。 相似文献
3.
在超高真空系统中,超薄层 Pt淀积膜原位蒸发在原子清洁的 Si(111)表面上形成 Pt/Si界面.利用光电子谱技术(XPS和UPS)研究了Pt/Si 界面的化学性质.测量了Si2p和Pt 4f芯能级和价带电子态,并着重研究这些芯能级及电子态在低覆盖度时的变化.由 Si(2p)峰的强度随 Pt 覆盖度的变化可以清楚证明:在 300 K下淀积亚单原子层至数个单原子层 Pt的 Pt/Si(111)界面发生强烈混合作用,其原子组伤是缓变的.由于Si原子周围的 Pt原子数不断增加,所以 Pt 4f芯能级化学位移随 Pt原子覆盖度的增加而逐步减小,而Si 2p芯能级化学位移则逐步增大.同时,Pt 4f峰的线形也产生明显变化,对称性增加;Si 2p峰的线形则对称性降低.淀积亚单原子层至数单原子层Pt的UPS谱,主要显示两个峰:-4.2eV(A峰),-6.0eV(B峰).A峰随着覆盖度的增加移向费米能边,而B峰则保持不变.这说明Ptd-Sip键合不受周围Pt原子增加的影响.利用Pt/Si界面Pt原子向Si原子的间隙扩散模型讨论了所观察到的结果. 相似文献
4.
6.
本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构. 相似文献
7.
K对InP(100)表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用同步辐射光电子能谱研究了K对P型InP(100)表面的催化氧化反应过程.对于O2/K/InP(100)体系的P2p、In4d和价带光电子能谱研究可知,在氧吸附的过程中,O和P、In之间发生了化学反应,O更易于与K在吸附过程中与InP(100)衬底之间的界面反应形成的K-P化合物中的P健合.碱金属K的存在并不直接和O发生作用,而是起到一种催化剂的作用,增加了电荷向氧传输的能力.使得O2的分解和吸附变得更加容易.在In4d芯能谱中,In-O之间的反应并不是很明显,而在价带谱中则可以明显地看到In-O之间反 相似文献
8.
9.
10.
读了《物理》杂志34卷第9期吴自勤和阎守胜两位同志写的关于N. F. Mott 教授的纪念文章,很有感触,这使我回忆起Mott 教授的一些往事.从这些往事中我深受教育,所以多年来未能忘怀. 相似文献