nc-Ge/SiN_x多层膜的光致发光特性

通过将a-Ge∶H/a-SiN_x多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiN_x多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500nm。通过分析,排除了与量子限制效应有关的光发射机制,也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制,认为该发光源于氧化后的a-SiN_x介质层中带尾态之间的辐射复合,最有效的激发能量约为介质层的带隙。     

基于紧缩系统的可靠性验证试验方法探讨

针对大型的复杂系统难以开展实验室可靠性验证的实际现状,结合实例,介绍了一种基于紧缩系统的试验方法,同时分析了该方法面临的问题并给出了建议。