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实验研究发现,采用离子束辅助沉积技术能改进膜层的性能,消除或减小膜层的应力.由实验得到:为保证锗膜具有较好的光学性能和机械性能,基底温度须加热至约150℃;对锗膜比较适合的离子束能量约为150eV;束流密度约为50μA/cm~2. 相似文献
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