基于非等温能量平衡模型的 GTR 二次击穿特性研究

基于非等温能量平衡传输模型,利用 Silvaco-TCAD 全面系统地分析了发射区半宽度(LE)、发射区边缘刻蚀结构以及浮空发射区结构对 NPN 型硅大功率晶体管(GTR)直流正偏二次击穿特性的影响。结果表明：当 LE为 130μm 时,GTR 直流正偏二次击穿临界点电压(VSB)最高。对于 LE为 150 μm 的 GTR,当发射区边缘横向刻蚀距离为10 μm 时,对直流正偏二次击穿的改善效果最好。当浮空发射区与发射区边缘间距减小到 17 μm 时,浮空发射区开始发挥改善直流正偏二次击穿特性的作用。