硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

CuO/CeO2催化剂的催化氧化性能及其表征

用CO流动反应法 ,程序升温还原 (TPR) ,光电子能谱 (XPS)和X射线衍射Rietveld分析等技术研究了CuO ,CeO2 及CuO/CeO2 各组分催化剂。结果表明 :单组分的CuO和CeO2 对CO的氧化活性较低 ,但CuO与CeO2 形成复合氧化物后 ,其CO氧化活性明显提高 ,这可能与铜物种在CeO2 表面的价态 (Cu2 + 和Cu+ ) ,分散状态和还原性能有关。CuO在CeO2 上的负载量对铜物种在CeO2 表面形成的价态 (Cu2 + 和Cu+ )至关重要 ,CuO的负载量为 1 0 %时 ,XPS检测不到Cu2p3/2 (eV)结合能 ;当CuO的负载量为 5 0 %时 ,CuO主要以Cu2 + 和Cu+ 形式存在 ,而负载量大于 5 0 %时 ,CuO则以Cu2 + 形式存在。由于形成了CuO/CeO2 复合氧化物 ,使离子半径小于Ce4 + 的CuO进入了CeO2 晶格 ;当CuO的负载量达到 5 0 %时 ,CuO的晶粒尺寸值为最小 ( 6 1nm) ,而晶格畸变值为最大 ( 2 86× 10 - 3) ,此时 ,催化剂具有较高的表面能和最佳的CO氧化活性     

Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜

本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长温度下，生长速率较低，得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽（0．5°）、Al和N更趋向于化学计量比结合．从扫描电镜测试看出，薄膜表面平整光滑、无裂纹，说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良．最后，NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论．     

利用拖线阵运动特性的阵形估计方法

有效估计阵形是提高机动条件下拖线阵声呐探测性能的关键,流体力学类阵形估计方法稳定性和可靠性欠佳,导致其难以应用于工程实际,该文针对此问题提出一种基于拖线阵运动特性的阵形估计方法。利用稳态振荡响应公式计算拖船回转机动时拖线阵稳态阵形特性,将转向机动过程中阵上各点运动状态划分为若干阶段,进而依据偏微分方程特征线理论计算各阶段的分界时刻,探究阵上相邻两点的沿阵切线方向差变化规律,最后通过计算当前阵上各点的沿阵方向实现阵形估计。计算机仿真和海上实验数据验证表明算法可行且有效,与传统的流体力学类阵形估计方法相比具有更高的稳定性和更好的工程应用前景。     

浅谈大型综艺晚会的布光技巧

就《大型综艺晚会的布光技巧》这一主题来谈谈我的布光经验。就大型综艺晚会而言,由于各地区情况的不同,其中,包括技术力量、灯光器材的数量和种类等,还有各地方台及领导对晚会的要求和资金投入也各有千秋,因此,很难用一个统～的标准来衡量。作为综艺晚会的灯光设计师来说,用什么样的方法和技术手段进行构思创作才能满足导演对晚会的总体要求,     

RESS技术制备负载型茂金属催化剂的表面特性研究

用X-射线光电子能谱法分析了超临界溶液快速膨胀法制得的二氯二茂钛(Cp₂TiCl₂)颗粒、聚苯乙烯(PS)颗粒和二氯二茂钛/聚苯乙烯(Cp₂TiCl₂/PS)负载型颗粒的表面化学性质,得到了三种不同颗粒的表面元素组成及元素结合状况,发现只有聚苯乙烯(PS)颗粒在喷射过程中吸附CO₂和标记物CH₃CH₂OH,而二氯二茂钛(Cp₂TiCl₂)颗粒和二氯二茂钛/聚苯乙烯(Cp₂TiCl₂/PS)负载型颗粒都不吸附CO₂和CH3CH₂OH,表明通过选择合适的操作条件,超临界溶液快速膨胀法制得的Cp₂TiCl₂/PS颗粒是以PS为内芯、Cp₂TiCl₂为外壳的负载型催化剂,为超临界溶液快速膨胀法制备负载型催化剂的新型工艺的可行性提供了依据。     

基于leg-by-leg机动的两级采样被动跟踪方法

针对被动声呐方位-频率观测情况下粒子滤波检测前跟踪算法中高维采样效率低的问题,该文提出一种利用leg-by-leg机动可观测性特点的两级采样方法.首先,对leg-by-leg机动的可观测性进行分析;然后,建立极坐标系下的目标运动状态模型,以粒子相对观测站的距离和法向速度均匀分布为准则,提出将极坐标系下的目标状态向量映射至直角坐标系的方法;最后,为改善滤波收敛性,提出根据粒子的空间分布特征自适应地调整过程噪声协方差矩阵.仿真结果表明,对于典型的水下目标跟踪场景,所提方法可使滤波收敛率增大约47.6％,距离估计误差减小约329 m,滤波收敛时间缩短约450 s.     

UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应

碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带.报道了用UHV/CVD生长的掺碳达2.2％的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,应变缓解效应明显.使用了X射线衍射(XRD),二次离子质谱(SIMS)与高分辨电子透射显微镜(HRTEM)对外延层进行检测;使用傅里叶红外吸收光谱(FTIR)确定碳原子处于替代位置,并对实验结果进行了讨论.     

基于MatlabGUI“阵列处理技术”教学仿真系统开发

针对“阵列处理技术”课程物理概念抽象、实验演示展开困难等特点，本文在对课程重要知识点梳理归纳的基础上，利用Matlab图形用户界面工是设计开发了教学仿真系统。该系统交互性强、参数调节简便、图形显示动态，适用于课堂教学和课后自学。实践表明，该系统弥补了传统教学中存在的不足，大大改善了课堂教学效果。     

超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究

本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１e１３／ｃｍ２和３．１e１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３e１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．