4×4纵横交换微电机械系统光开关阵列

微电机械系统(MEMS)光开关是微电机系统技术与传统光学技术相结合的新型机械式光开关。采用纵横交换网络和通断型微镜实现4×4微电机械系统光开关阵列,利用球透镜单模光纤准直器作为微电机械系统光开关阵列的输入、输出端口。运用高斯光束耦合理论对光开关阵列插入损耗(IL)进行了理论计算,并对引起插入损耗的主要因素进行了分析。对于失调容限:输入与输出光纤准直器位置失调2μm,定位角度失调0.15°,微镜非垂直反射角度失调0.15°,制作了4×4微电机械系统光开关阵列,对其各个通道的插入损耗进行了实验测试,其中最大值为2.77dB。     

关于非高斯类噪声调制系统的进一步研究

在Cek提出的调制系统上,对非高斯类噪声调制系统的作了进一步研究。解决了原系统模型中未解决的关于类噪声序列特征参数选择的问题,从而均衡系统的安全性与误码率。同时探讨了参数间距选择、随机序列长度选择对系统数据传输质量的影响,并通过仿真得出最适宜参数。最后,对最优参数系统在加性高斯白噪声信道下的误码率性能进行了仿真。仿真结果表明,此系统误码率性能良好,系统具有现实意义。     

甚短距离并行光传输模块研究

提出了一种满足光互联论坛(OIF)标准的10 Gbps甚短距离光传输模块设计方案,该甚短距离(VSR)传输模块主要由高速并行光收发器模块和超大规模接口适配电路组成.讨论了基于面发射激光(VCSEL)的并行光收发器模块结构及高密度光纤阵列耦合封装技术,采用可编程逻辑器件芯片设计了接口适配电路.     

多光谱成像技术及其在生物医学中的应用

多光谱成像(MSI)融合了光谱技术与成像技术,可并行获取探测目标的光谱特征和空间信息。由于采用非侵入式的成像方式,该技术在生物医学领域有很多重要的应用。介绍了多光谱成像的基本原理与技术发展,并从病理研究、手术引导、生物识别等三个方面对其应用进行简要综述。     

n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应

本文研究了n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应。实验结果显示,高温下进行电子辐照,界面处辐照诱生缺陷会同时产生和被退火恢复;器件的击穿电压和反向漏电流受辐照影响减弱,其电学阈值增加;由辐照效应导致的可见光响应的影响仍然存在。     

n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应

本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。     

双谱估计用于软件无线电中的调制识别

为了能稳定地识别出接收信号的调制方式，采用分级识别的方案，对软件无线电中用到的六种调制信号（BPSK，QPSK，π／4DQPSK，MSK，GMSK，TFM）进行分类识别，第一级利用反映包络变化的参数对调制信号集进行粗分类，第二级利用从信号平方谱、瞬时相位平方的双谱中提取出的特征参数分类识别。仿真结果表明，该方案在不需要预知精确载波频率的情况下，可达到较高的识别率。     

65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究

重离子在SiO2中能产生永久径迹,因此它可能对MOS器件电学特性产生影响。文章用Geant4软件对Au和Sn两种离子进行蒙特卡洛模拟,重点分析高能粒子在SiO2中的能量沉积及径迹。基于模拟分析,对专门设计的65 nm n沟MOSFET器件进行Sn离子辐照实验,发现辐照后Ids和Ig明显增大,分析器件辐照前后阈值电压、跨导、沟道电流以及栅漏电流等特性参数变化的原因。     

一种新型的I/O光纤阵列接口制作方法

提出了一种刻矩形槽穿插法研制光纤阵列接口,对设计参数进行了理论分析,并运用此法研制了多种规格光纤阵列接口器件,对其中1×12多模光纤阵列接口器件进行测试,结果表明该方法具有精度高,耦合均匀性好,制作方法简单,重复性好的优点,成功应用于光互连网络模块I/O接口模块。     

SiC热氧化SiO_2层结构的光谱学表征

C原子的存在,不仅影响SiC热氧化SiO2层与SiC间的界面态,也直接影响SiO2层的结构和致密性。本文用红外光谱对SiC和Si热氧化生长SiO2层进行了研究,分析和讨论SiO2/SiC和SiO2/Si的红外反射光谱特征峰,以及不同的热氧化条件和退火过程对这些谱峰的影响,对SiC热氧化SiO2层质量的光谱学表征进行了初步探讨。