微孔和介孔材料中的热化学

这篇论文综述了美国加州大学戴维斯分校科学院院士Navrotsky课题组多年来在多孔材料上取得的一系列热化学研究结果。讨论了热化学对微孔、介孔材料的结构稳定性和合成过程的影响。借助多种测热手段对影响骨架结构的热焓、热熵和自由能进行了系统的测量和计算。研究数据表明一系列纯硅分子筛、介孔材料和磷酸铝多孔材料同相应的石英相和块磷铝矿相相比能量上最多只高出15 kJ·mol-1。一系列纯硅分子筛的熵值比石英相高出3.2—4.2 J·K-1·mol-1；在0—12.6 J·K-1·mol-1范围内相对应的自由能几乎没有差别。因此，对不同微孔、介孔材料，其骨架结构在能量上是几乎没有区别的。另外，本文通过介绍一种新型测热方法——原位测热，揭示了分子筛合成过程中的动力学和成核/结晶机理。     

三网融合下自助终端系统建设探讨

阐述了三网融合背景下广电运营商在营销渠道建设方面存在的问题和挑战，给出了自助终端产品解决方案。从产品架构、产品功能、银联对接、硬件设备等几个方面对自助终端产品进行了介绍。该解决方案已经在国内运营商的实际运营中进行了实施，切实解决了运营中的实际问题，取得了良好的运营效果。     

基于MSP430的实用粮仓温湿度检测系统

为了能够对大型粮仓内的温湿度进行监控,采用CC2500射频芯片和SHT11数字温湿度传感器,设计了一种基于MSP430单片机的实用粮仓温湿度检测系统及相关的软硬件结构。该系统利用ZigBee无线通信技术构建了分布式无线传感器网络,通过传感器节点对温湿度数据进行采集和传输,具有组网简单,维护方便,运行费用低等优点,能够实现可靠的无线数据传输。     

遥感图像质量评估方法研究

遥感图像提供了丰富的遥感信息,但是在成像过程中受大气、热噪声等因素的影响,往往反映的不够清楚。采用图像增强方法可以有效地去除这种不良影响,但是增强效果的评估是一个理论性和实践性很强的课题。针对遥感图像常见的高斯噪声争瑞利噪声,采用传统的图像增强方法进行处理,运用主客观相结合的评价方法,比较了不同图像增强方法时这两种噪声去除结果的优劣,为遥感图像质量以及处理方法的评估提供了很好的思路。     

4H-SiC浮动结JBS器件的设计方法

研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法。提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度,然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延层厚度,进而设计出浮动结和表面结的最佳结构参数。否定了文献中认为浮动结位于器件中部为最佳设计的结论。仿真结果表明浮动结和表面结线宽比不仅影响器件导通特性,还会影响反向特性。浮动结线宽比在一定范围内会略微影响器件击穿电压,而表面结线宽比主要影响器件的反向泄漏电流。     

基于FPGA的高性能MobileNet硬件加速器研究与设计

现有神经网络大多模型复杂,由于模型参数量、计算量较大而难以应用于移动终端等实际场景,因此本文选择轻量级神经网络MobileNet并利用高性能、可重构的FPGA平台进行硬件加速设计。通过并行展开、流水线设计、量化策略等方式优化加速器,针对提升并行度带来的大量DSP资源消耗,本文通过DSP优化编码方式对卷积操作中的乘法进行优化,从而减少了44.8%的DSP资源消耗。实验结果表明本文在Xilinx ZCU102开发板上实现了129.6 fps的推理速度,整体性能达到147.4 GOP/S。     

SAPO-34处理方法对吸附性能的影响

以二乙胺为结构导向剂, 在微波条件下合成了SAPO-34分子筛材料, 并分别在空气和氮气氛下1073 K焙烧. 考察了氮气氛下分子筛表面碳改性后对材料表面及水、甲醇和乙醇吸附性能的影响. 结果表明: 碳改性后SAPO-34比表面、孔容下降, 但孔径趋于均一. 与SAPO-34样品相比, 碳改性后SAPO-34吸水量从0.295 g/g降低到0.180 g/g, 甲醇/乙醇的吸附比从1.42提高到2.81.     

紫外光解法在制备低介电常数氧化硅分子筛薄膜中的应用

以正硅酸乙酯为硅源, 四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂和碱源, 采取水热晶化技术, 通过原位法在硅晶片表面制备出纯二氧化硅透明分子筛薄膜; 采用紫外光解法代替传统高温焙烧法脱除分子筛薄膜孔道内的模板剂, 制备出具有低介电常数的氧化硅分子筛薄膜. 使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征, 并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数, 纳米硬度计测量薄膜的杨氏模量和硬度. 与传统的高温焙烧方法相比, 紫外光解法处理条件温和, 同时省时、省能、操作简易.     

晶化温度对SAPO-34结构稳定性的影响

用二乙胺结构导向剂, 分别在473和573 K水热晶化得到两种SAPO-34分子筛材料. SEM和XRD结果表明, 晶化温度升高, SAPO-34晶粒增大, 结晶度提高, 比表面积和孔径增大. 升高晶化温度, 提高了样品的最高焙烧和水蒸汽热处理承受温度.     

Fabrications and characterizations of high performance 1.2 kV,3.3 kV,and 5.0 kV class 4H–SiC power SBDs

In this paper, 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H–SiC power Schottky barrier diodes(SBDs)are fabricated with three N-type drift layer thickness values of 10 μm, 30 μm, and 50 μm, respectively. The avalanche breakdown capabilities,static and transient characteristics of the fabricated devices are measured in detail and compared with the theoretical predictions. It is found that the experimental results match well with the theoretical calculation results and are very close to the 4H–SiC theoretical limit line. The best achieved breakdown voltages(BVs) of the diodes on the 10 μm, 30 μm, and 50 μm epilayers are 1400 V, 3320 V, and 5200 V, respectively. Differential specific-on resistances(R_(on-sp)) are 2.1 m?·cm~2,7.34m?·cm~2, and 30.3 m?·cm~2, respectively.