纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究

利用扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，简称ＳＴＭ）对纳米硅薄膜在纳米尺度上的表面微观形貌进行了研究，结合分形理论，计算出样品表面形貌的分形维数Ｄ，从而得出Ｄ与有关样品微结构参数之间的关系．ＳＴＭ结合图象处理和傅利叶分析法可以很好地研究薄膜材料表面形貌的分形特征．纳米硅薄膜的表面在纳米尺度上的微观形貌呈现出分形特征．     

266nm下邻二甲苯双光子电离质谱的研究

利用YAG激光器输出的四倍频激光对邻二甲苯分子的多光子电离过程进行了研究,获得了邻二甲苯分子的多光子电离飞行时间质谱（MPI-TOFMS）,其母体离子及碎片离子信号达22种之多。光强指数分析表明母体离子C8H^＋10和主要的碎片离子C7H^＋7、C6H^＋5发生了1＋1共振增强双光子电离（RE2MPI）。     

基于棱镜的椭偏法测量液体复折射率

通过引进等腰棱镜,利用椭偏测量技术实现了液体复折射率的精确测量.基于菲涅尔公式及椭偏测量原理,从理论上分析仪器测量得到的椭偏参数与棱镜-液体界面椭偏参数的关系,并讨论了测量液体折射率及吸收系数的精度.使用消光式椭偏仪,测量了水和印度墨水的复折射率,得到了样品的折射率、吸收系数随浓度变化的实验曲线,实验结果与参考文献基本一致.实验表明:棱镜椭圆偏振技术测量液体折射率及吸收系数的精度分别为0.000 4和0.000 3,适合于快速测量.     

局部混压板技术难点剖析

随着当今PCB加工成本不断升高的背景下,局部混压板数量日渐增多,混压深度和混压尺寸也越来越大,而对其溢胶、对位和翘曲三个方面的控制是其制造过程中的关键要点。本文提出了不同混压深度和不同混压尺寸下的局部混压板在这三方面的改善措施,从而大幅提升局部混压板的可制造性。     

高层板对位精度计算模型研究

测量影响高层板对位精度的因素的精度及其标准偏差,并采用瑞利分布函数预测不同对位精度对应的成品合格率,在此基础上,确定了需要优先改进的工序及其标准偏差控制要求,为从定量的角度优化关键因素提供了有效的方法。