双栅GaAs MESFET的计算机辅助测试与分析

研制了双栅GaAs MESFET的计算机辅助测试系统,可广泛应用于一般四端(或小于四端)器件.该系统包括硬件部分——四端器件直流特性的计算机读入设备FMR,和通用软件部分——FMR-BASIC.同时研制了工艺参数最优化分析程序——DGF TPOA,从而能够自动测报常规直流特性,并由所测结果按最优化技术(单纯形调优法)分析给出工艺参数n、a、L_1、L_2.     

高斯掺杂分布GaAs肖特基结的雪崩击穿电压

由离子注入掺杂半绝缘GaAs 所得到的材料可视为生长在半绝缘衬底上的高斯分布层.高斯掺杂分布用峰值浓度、投影射程和标准偏离三个参量来表征.在DJS-130计算机上用数值方法计算了各种不同参量下的耗尽层宽度、最大电场和击穿电压,计算结果用图表示.计算证实,高斯掺杂分布GaAs 肖特基结的雪崩击穿行为,类似于具有不同程度的i层的p-i-n结构.