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1.
PAn/Ni电磁屏蔽复合材料的研究   总被引:6,自引:1,他引:6  
聚苯胺作为一种新型导电高分子材料,由于其质轻、环境稳定性好等特点,有应用于电磁屏蔽领域的巨大潜力。对一种先进的电磁屏蔽复合材料——导电聚苯胺PAn/Ni电磁屏蔽涂料进行研究,将高分子材料与金属粉末作为复合导电填料应用于涂料,并研制出在30~1000MHz内屏蔽效能达60dB的屏蔽涂料。通过对不同的组分和比例所得涂料的屏蔽效能测试,发现PAn与Ni粉之间在涂料中有复合效应存在。  相似文献   
2.
介绍了H.264/AVC标准中主要使用的三种新型抗误码技术,即参数集、灵活的宏块排列次序(FMO)和冗佘片技术,并分析了这三种技术的特点并对其应用方法进行了研究.  相似文献   
3.
近年来基于单光子雪崩二极管(SPAD)的激光雷达得到迅猛发展,已经从军事侦察、生物探测等特殊领域走向需求量巨大的无人驾驶系统等民用领域。由砷化镓、磷化铟等材料制备的SPAD探测器可以对1.54 μm以上的近红外长波响应,具有人眼安全性,但制造成本高且难以实现大规模集成,无法满足低成本和高集成度的民用要求。目前,硅基SPAD探测器通过结构和工艺优化实现了对0.7~1.1 μm近红外短波光子的高效探测,大幅度降低激光发射功率,从而降低了激光对人眼的伤害。但为了安全工作,还必须对人眼安全问题进行分析。本文在分析SPAD激光雷达研究现状的基础上对近红外短波激光雷达的人眼安全进行了深入和全面的分析,根据美国国家激光标准精确计算出符合人眼安全的激光能量和照射时间,为硅基SPAD民用激光雷达的应用提供了设计依据。  相似文献   
4.
采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于微带传输线的旋转行波压控振荡器(RTWO)。采用λ/4差分传输线代替传统交叉耦合反相器对的PMOS负载管;通过电磁场建模并优化,获得了高Q值的谐振腔模型,提高了RTWO电路的振荡频率;解决了RTWO电路旋转波形不确定的问题,电路能逆时针起振旋转。该旋转行波压控振荡器的电路版图尺寸为980 μm×1 150 μm。在1.2 V电源电压下,电路输出波形相邻相位差为45°,功耗为24 mW。振荡频率调谐范围为14.06~14.73 GHz,压控电路振荡于14.5 GHz时,其相位噪声为-95 dBc/Hz@1 MHz。  相似文献   
5.
基于65 nm CMOS工艺设计了一种56 Gbit/s PAM4光接收机前端放大电路.前级为差分形式的跨阻放大器,采用共栅前馈型结构降低输入阻抗,并在输入端串联电感,有效提高了跨阻放大器的带宽和灵敏度.后级放大器采用具有线性增益控制的多级级联可变增益放大器,实现对输出摆幅的自动控制.输出缓冲器采用源极退化技术来拓展带...  相似文献   
6.
王世琛  张长春  张翼  张瑛  袁丰 《微电子学》2022,52(5):824-831
采用高压0.6μm CMOS工艺,设计了一种可以同时对压电、光电进行高效收集的多源能量收集电源管理芯片。该收集芯片由光电接口电路、压电接口电路和DC-DC电路等单元构成。光电接口电路中采用全局最大功率追踪电路,减少了阴影对太阳能板收集光能的影响,提高了最大功率追踪效率。DC-DC电路中,采用导通时间可调、频率可调的控制模式,在更宽的输入功率范围内实现更高效率的同时保持输出端较小的电压纹波。仿真结果表明,该收集芯片的整体平均动态电流为7.6μA,能量转换效率最高为91.2%。版图尺寸为9 623μm×3 655μm。  相似文献   
7.
采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一种可以同时高效收集压电、光电、热电、射频能量的多源能量收集芯片.该收集芯片由多种能源接口电路、可重构电荷泵和自适应控制电路等单元构成.可重构电荷泵中,通过调节电压转换倍率和开关工作频率来降低电荷再分配损耗,提高了转换效率,扩大了输入电压范围.自适应控制电路中,采用固定导通时...  相似文献   
8.
以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。  相似文献   
9.
袁丰  张长春  徐跃  郭宇锋 《微电子学》2018,48(2):237-240, 245
为探测幅值极小、分布频域很低的神经信号,基于gm-ID方法设计了一种低电压、低功耗跨导运算放大器。该运算放大器采用了带增益自举模块的AB类低电压伪差分放大结构。在此基础上,设计了电容反馈神经信号放大电路。仿真结果表明,神经信号放大电路在低电源电压、低功耗下具有较高的共模抑制比和电源抑制比。电路的各关键指标达到良好均衡,满足探测神经信号的需求。  相似文献   
10.
袁丰  王志功  吕晓迎 《半导体学报》2016,37(2):025007-6
Recent work in the field of neurophysiology has demonstrated that, by observing the firing characteristic of action potentials (AP) and the exchange pattern of signals between neurons, it is possible to reveal the nature of "memory" and "thinking" and help humans to understand how the brain works. To address these needs, we developed a prototype fully integrated circuit (IC) with micro-electrode array (MEA) for neural recording. In this scheme, the microelectrode array is composed by 64 detection electrodes and 2 reference electrodes. The proposed IC consists of 8 recording channels with an area of 5 × 5 mm2. Each channel can operate independently to process the neural signal by amplifying, filtering, etc. The chip is fabricated in 0.5-μ m CMOS technology. The simulated and measured results show the system provides an effective device for recording feeble signal such as neural signals.  相似文献   
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