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1.
用保角变换法对共面波导金属厚度效应进行了理论分析,编制了相应的计算机程序,给出了数值解,并对此进行了多元曲线拟合,导出了考虑金属厚度后的形状比k、有效介电常数、特征阻抗、损耗的闭定表达式。用此修正表达式求得特征阻抗及损耗的数值解,并与K.C.格普塔的修正值及实验测量值进行了详细比较,结果表明此修正公式与实验值相符较好。 相似文献
2.
磷钨酸乙醇染色法在嗜铬颗粒电镜X射线显微分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
通过比较常规透射电镜制样法、快速冷冻固定-冷冻超薄切片法及磷钨酸乙醇(EPTA)染色法在嗜铬颗粒透射电镜X射线显微分析中的应用,发现磷钨酸乙醇染色法能使嗜铬颗粒电子着色,从而较好地显示嗜铬颗粒的超微结构。同时磷钨酸乙醇染色法也以在一定程度上原位保留生物样品中元素,可以应用于检测样品元素含量的变化或比较样品元素含量的组间差别,提示磷钨酸乙醇染色法是一种可应用于透射电镜X射线显微分析的经济简便的生物样品制备方法。 相似文献
3.
首先得到l p(G ) (p>1, p≠2)单位球面之间(满)等距算子的表现定理, 然后利用作者过去一个结果导出: 上述算子均可延拓为全空间上的(实)线性等距算子. 相似文献
4.
5.
We investigate the two methods of defining the surface gravity ,κ on the horizon, which are the metric definition and the definition given by the spacetime conformal method. It is found that the latter is of greater generality. By this method, we find that ,κ of η- ξ spacetime is equal to the exponent factor α in the coordinate transformation, which confirms the argument that η- ξ spacetime can be considered as the background spacetime for finitetemperature field theories. The reasons why the metric definition of ,κ can not be applied in η- ξ spacetime are presented. 相似文献
6.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献
7.
8.
在ATM网里业务阻塞控制是一个十分重要的问题,本文对一种缓冲漏桶业务阻塞控制算法在突发性业务输入情况下的性能进行了计算机模拟分析,模拟结构表明缓冲漏桶算法是一种适合于突发性业务的阻塞控制算法,文章在模拟结果的基础上给出了缓冲漏桶算法中参量选择的算法。 相似文献
9.
Tunable dual wavelength erbium-doped fiber laser (EDFL) with stable oscillation at room temperature is proposed and demonstrated. This laser utilizes a Bragg grating fabricated in a high birefringence fiber as the wavelength-selective component, and then achieves the stable dual wavelength oscillation by introducing the polarization hole burning effect. Furthermore, by applying lateral strain upon the fiber Bragg grating (FBG), the space of the laser dual wavelengths can be tuned continuously. 相似文献
10.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
关键词:
变缓冲层高迁移率晶体管
Shubnikov_de Hass 振荡 相似文献