微分C—V法和C—V法测量硅外延层杂质纵向分布的指数模型

提出了n/n~+或p/p~+硅外延层电荷密度ρ随x~(n-2)方式变化的正、负指数分布模型。导出了微分C—V法和C—V法杂质浓度纵向分布公式;也导出了两方法的耗尽层宽度公式。引入了n参数[logC—log(V_p—V)直线的斜率负倒数],可免去ASTMF419和SJl551—79逐点测量的麻烦,并使数据处理更为精确。还给出了硅外延层中杂质浓度纵向分布的规律。