埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究

对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压;SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-3 A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-4 A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。     

参比型SPR生物芯片的检测

参比型SPR生物芯片是一种具有参比、检测两个位点的葡聚糖修饰的SPR生物芯片。为了验证该芯片的效果，进行了在芯片上固定人IgG，检测溶液中的羊抗人IgG的免疫结合试验。参比位点的SPR信号随溶液的变化而变化，但不会固定人IgG，检测位点可以牢固地固定人IgG。羊抗人IgG可以与固定在芯片上的人IgG发生免疫结合反应。这种方法可用来进行固定抗原检测抗体的研究。     

微型色谱的信号采集系统对瓦斯的检测研究

介绍了以ARM芯片为核心器件,研制出低噪声、高分辨率的信号采集系统。该系统的噪声RMS值少于0.2 mV,显示出良好的抑制噪声的能力,而且系统分辨率达到10-4 mV数量级。随后,利用设计的信号采集系统,并结合研制的微型色谱系统,对瓦斯气体进行了检测实验。从实验结果可以看出,在痕量分析中,设计的信号采集系统具有对微弱信号采集的能力,而且具有较高的分辨率和较低的噪声,因此,设计的系统满足对微小信号采集的要求。     

分子印迹膜SPR传感器检测氯磺隆的方法

研究使用了中国科学院电子学研究所自行研制的高灵敏度单通道SPR分析仪和进样装置,仪器为棱镜耦合型SPR传感器结构,其检测角度范围是40°～70°,折射率检测范围为1.04～1.47,谐振角的精度在0.001°。适用于SPR分析仪的分子印迹芯片采用PVC-MIP共聚膜法制备,SPR角度扫描结果表明,200nm以下厚度芯片具有较好的SPR吸收特性。以氯磺隆为模板的分子印迹膜与不加氯磺隆的分子印迹膜对比实验发现前者具有特异性结合的能力。实验对浓度0.1,0.2,0.5和1μg/mL的氯磺隆进行了SPR定点检测,这四种浓度氯磺隆的折射率响应信号满足线性关系,相关系数R=0.996 4。实验中对低浓度的氯磺隆进行反复检测,检测到50ng/mL的氯磺隆,满足农残检测的要求。     

Darboux Transformation Method for Solving the Sime—Gordon Equation in a Laboratory Reference

The sine-Gordon equation is solved in a laboratory reference using the method of Darboux transformation.Using the Liouville theorem,explicit expressions of the single soliton solution and the breather solution are derived from the Darboux matrix in the case of a null spectral parameter.     

Inverse Scattering Transform for the Derivative Nonlinear Schrodinger Equation

Since the Jost solutions of the derivative nonlinear Schrodinger equation do not tend to the free Jost solutions, when the spectral parameter tends to infinity（｜A｜→∞）, the usual inverse scattering transform （IST） must be revised. If we take the parameter κ = λ^-1 as the basic parameter, the Jost solutions in the limit of ｜κ｜→∞ do tend to the free Jost solutions, hence the usual procedure to construct the equations of IST in κ-plane remains effective. After we derive the equation of IST in terms of κ, we can obtain the equation of IST in λ-plane by the simple change of parameters λ = κ^-1. The procedure to derive the equation of IST is reasonable, and attention is never paid to the function W（x） introduced by the revisions of Kaup and Newell. Therefore, the revision of Kaup and Newell can be avoided.     

液晶显示屏与电容式触摸屏间的信号串扰抑制

随着显示技术的不断发展,集成触摸屏的液晶显示(LCD)在日常生产与生活中得到了广泛的应用。良好的触屏显示在人机交互方式上扮演着重要角色。然而,外挂式触摸屏在薄化后,触控感测部件和LCD驱动部件之间的距离减小,造成两者之间更紧密的耦合,导致LCD对触摸屏的噪声干扰更加严重,造成误触摸情况发生。为此,我们通过本文研究发现,调节源极数据驱动IC的内置功能及数据信号的驱动方式,可有效改善噪声干扰问题。首先,根据TFT面板阵列的排布,针对性调节源极数据驱动信号,观察噪声干扰的程度。实验结果表明:降低源极数据驱动能力,或更改数据信号的驱动方式为H2Dot时,噪声最大的sub V-stripe画面下的噪声干扰峰值可下降75%。基于上述解决方案,达到了降低噪声干扰的目的,提供给用户更精准、灵敏的触控体验。     

广窄视角可切换型TFT-LCD的莫尔条纹抑制

广窄视角可切换型薄膜晶体管液晶显示器面板通常会产生莫尔条纹问题,该问题是由背光模组的脉冲宽度调制信号与窄视角模式下施加在显示面板的交流信号之间的相位差不断变化所造成的.为此,本文提出了一种可行的解决方案.从造成莫尔条纹的根本原因入手,对造成莫尔条纹的干扰信号进行了优化,实现了信号同步,从而消除信号间的相位差.实验结果表...     

无机及有机高分子材料的热电特性测量

为了发展无污染的热电转换清洁能源,近年来国内外加速对无机和有机热电材料的研究,而对于高阻值无机和有机热电材料的宽温区热电转换性能测试方面,目前很多研究学者仍遇到一些困难。本文论述了最新研制的一种高阻值、宽温区塞贝克系数测量系统,该系统设计制造了具有高真空度和多重电磁屏蔽的真空测试环境,一个高稳定度、高精度的温差控制平台以及在高阻条件下的微弱电压信号检测的电路系统,从而为无机、有机高分子材料薄膜或块状样品提供一种准确、稳定、精度高?操作方便、快速的测量装置,实现温度从低温 80Ｋ到高温大于500Ｋ的宽温区范国内连续变化,可准确测量超高电阻>1012Ω的材料的塞贝克系数。     

表面等离子体共振生物传感器连续检测莱克多巴胺

利用表面等离子体共振生物传感器对莱克多巴胺抗体与固定在芯片表面的莱克多巴胺衍生物的相互作用进行了分析,解离常数为2.56×10-6s-1。根据一定范围内相对响应值和时间近似呈线性关系的动力学特性,建立了连续检测的方法,从而简化了实验步骤,有利于提高芯片的使用寿命。检测莱克多巴胺采用抑制法,将莱克多巴胺衍生物固定在芯片的表面,莱克多巴胺抗体与样品混合后流过芯片的表面,所得相对响应值与样品中莱克多巴胺的浓度成反比。单个样品的检测时间设定为15min,对应的检出限小于4μg/L。