1.55μm波长新型InGaAsP／InP电调频分器研究

本文提出一种新型电调频分器设计。采用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结（ＤＨ）脊形波导（ＲＷＧ）和分布布喇格反射器（ＤＢＲ）结构。通过改变加于器件的反偏压，由电光耦合效应改变波导折射率，以满足四频分要求，实现频率分割的目的。分析计算结果表明：对于１．５５μｍ激光束的传输，频分间隔为８ＧＨｚ，实现四频分的外加偏压分别约为０，４，８和１２伏。     

多电极结构Δβ倒相定向耦合器调制特性理论分析

在考虑扩散沟道波导的二维折射率分布及导模场分布的基础上,对定向耦合器耦合长度作了理论推算;经与实验制作的一个四对电极结构的定向耦合器的实测结果作比较,相对误差为15.5％。在此基础上,分析讨论了器件的工作特性。     

1.3μm钛扩散铌酸锂无间距方向耦合器

研制成功工作波长为1.3μm的钛扩散铌酸锂无间距方向耦合器,其ON/OFF比大于17dB,开关电压小于23V,器件电极电容6pf,理论带宽大于1GHz。     

利用气体吸收池光电流信号稳定InGaAsP半导体激光器频率

采用光吸收作用使放电气体吸收池电流改变，即“光电压”信号作为频率标准，对ＩｎＧａＡｓＰ长波长半导体激光器进行稳频。     

Y分岔波导热光控制工作机构

对Y分岔K~+离子交换沟道波导热光控制作用的工作机构进行了理论分析。计算结果表明,只有在Ti薄膜热子下面的区域形成了独立的热光波导,才可能解释实验测得的高消光比值。在器件的制作过程中采用了特殊的SiO_2抬离工艺,     

105量子阱半导体激光器的进展

１０５量子阱半导体激光器的进展蔡伯荣（成都电子科技大学光电子技术系，６１００５４）本文简要介绍量子结构激光器的新进展。超晶格量子阱概念是７０年代初由美国ＩＢＭ公司的日本人Ｌ．Ｅｓａｋｉ和中国人朱兆强首先提出的。超晶格材料主要分为两大类型：１．晶格匹配...     

钛扩散铌酸锂波导多电极■β倒相定向耦合器

本文报道了我们研制的四对电极的定向耦合器.利用电极连接的不同方式,分别测试了一对电极、两对电极和四对电极三种工作状态下器件的工作特性.采用四对电极工作时,器件实现了交叉和直通两种工作状态的电调制.     

第十届欧洲光通信会议和第二届国际光纤传感会议述评

我们一行四人于1984年8月31日至9月17日到西德斯图加特参加第十届欧洲光通信会议和第二届光纤传感会议并参观访问。会议期间和会后分别参观了西德马普学会固体物理研究所、德律风根公司通信研究所、ANT通用电信公司和洛伦兹标准电气公司等单位的有关部分,现将情况报导如下。     

InGaAsP和GaAlAs半导体激光器稳频放电吸收池的研究

本文报导了我们采用“光电流”信号作为频率标准，稳定ＩｎＧａＡｓＰ和ＧａＡｌＡｓ半导体激光器输出光波频率所用的气体放电吸收池的设计与研制结果。     

求解渐变折射率分布平面光波导模式的数值方法

本文用多种数值方法（积分插值法、有限元法及幂法）对具有渐变折射率分布的平面光波导率征方程进行了理论计算。这些方法不仅适用于任意的折射率分布，而且能够达到较高的计算精度。作为一个例子，作者对高斯分布波导进行了具体计算。计算结果表明，Arun Kumar等人用的微扰法是较好的方法。此外，本文作者通过迭代求出了更精确边界条件下的本征模。