用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb成分比,结果表明AlSb多晶薄膜具有单一的晶相、均匀的结构,以及粒径大约20nm的晶粒.根据电导率(lnσ)与温度(T)的关系得到电导激活能为0.21和0.321eV,为制备出适用于太阳电池的AlSb多晶薄膜奠定了一定的技术基础.     

ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究

用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N₂气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成Cu_xTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。     

二个非协调膜元的收敛问题

为了用有限元方法求(0-2)的近似解,定义有限元空间.记P(K),?K∈?_h,为单元K上多项式组成的有限维空间,v_h∈P(K)可由K上的节点参数或其它类型的参数(例如函数的导数或函数本身在单元K上积分的数值)唯一决定.     

精密激光焊接在航空工程的应用研究

对激光精密焊接方法在航空工程中的应用进行了深入探讨,首先对影响焊接质量的相关因素进行了实验研究,并对焊件进行了例行试验.结果表明,焊缝的性能质量达到了产品的设计要求;而且在提升效率降低成本方面做了大量的工作,从而破解了激光焊接工程应用的效益瓶颈.有关工作得到企业的认可,激光焊接被纳入飞机制造的工艺路线之中,成为激光焊接实际应用的案例.     

电力骨干光通信网业务路由优化策略研究

通过对业务平均风险度、业务风险均衡度和业务综合风险度进行优化,采用遗传算法对电力骨干光通信网的业务路由进行优化分配,提出了有针对性的染色体编解码方案及适应度函数。对优化方法进行了仿真分析,证明了算法的有效性并给出了不同指标的优化效果,为电力通信业务的可靠性评估和网络运行方式优化提供理论参考。     

合肥电视台硬盘播出系统介绍

采用硬盘播出,不但解决了传统录像机容易磁头堵塞,卡带等问题,更带来了如响应速度快、高可靠性,资源共享,频道和容量易扩展等好处,数字硬盘播出系统取代传统的录像机播出系统是电视台播出技术发展的趋势和方向。本文介绍了合肥电视台硬盘播出系统的设计构想以及具体的实施方案。     

磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征

采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，退火后形成PtSi薄膜，利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明，工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌，随着衬底温度增加，薄膜表面由柱晶状团簇变为扁平状团簇，薄膜显微结构由多层变为单层，衬底加热有利于形成界面清晰、结构完整、成分单一的PtSi薄膜。     

近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱

用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜.研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(PL)谱,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论.     

氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质

研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术．发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征．通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中,两种衬底上的CdTe薄膜具有相同的结构．研究了玻璃衬底上CdTe薄膜的电学与光学性质,观察了后处理对上述薄膜性质的影响,并研制出了效率达1338%的小面积CdTe 薄膜太阳电池．