基于国产SoPC平台的外部总线的设计与实现

可重构的SoC(system-on-a-chip)是嵌入式系统发展的一个重要方向,它不仅可以达到较高的性能而且更加的灵活.介绍了一种国产的SoPC(System on a Programmable Chip)平台,并基于此平台提出了一种用于重构计算的外部总线结构.通过该总线,可以通过改变不同的IP(intellectual property)核来组成新的系统.同时回顾总结了部分动态可重构的步骤并完成了一个完整的系统,最后给出了可重构系统的测试结果.     

NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究

研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性，提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500 ℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的NiSi材料的方块电阻，当退火温度大于400 ℃时，方块电阻达到最小，并在400—600 ℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化，说明温度在400—600 ℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场E_bd的分布研 关键词： 金属栅 NiSi 炉退火 快速热退火     

锗预非晶化注入对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响研究

随着超大规模集成电路技术的发展,CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术,因此各种新工艺的兼容性研究具有重要意义.本文研究了超浅结工艺中使用的锗预非晶化对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响.对具有不同剂量Ge注入的NiSi金属栅MOS电容样品的研究表明,锗预非晶化采用的Ge注入对NiSi金属栅的功函数影响很小(小于0.03eV),而且Ge注入也不会导致氧化层中固定电荷以及氧化层和硅衬底之间界面态的增加.这些结果表明,在自对准的先进CMOS工艺中,NiSi金属栅工艺和锗预非晶化超浅结工艺可以互相兼容.