碲镉汞合金组分分布的描述方法

介绍了一种利用ＥＤＸ和自动数据处理程序相结合。用于ＨｇＣｄＴｅ晶体组合分布研究的描述方法。实际使用结果表明，该方法满足ＨｇＣｄＴｅ晶体组分分布研究的要求，具有快速直观的特点，对指导工艺调整有重要意义，该法可用于其他半导体材料的成分分析。     

磁场中布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里奇更法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位错和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。     

位移损伤剂量法评估空间GaAs/Ge太阳电池辐照损伤过程

本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000 km轨道带电粒子辐 关键词： GaAs/Ge太阳电池 辐照损伤 带电粒子 位移损伤剂量     

加速度传感器信号处理集成电路的研制

设计并制作了一种用于差分电容式加速度传感器的信号处理电路。该电路具有模拟和脉宽调制两种输出方式 ,能够将差分电容的变化通过模拟电平和输出脉冲信号的占空比表征 ,实现了对差分电容式加速度传感器信号的测量。电路中集成了自检测驱动单元。电路采用 4 μmP阱CMOS工艺制作。初步测试结果表明 :在 1～ 5 pF内 ,电路的灵敏度为 10 .7V/ pF ,可满足大多数差分电容式传感器信号处理的要求。     

磁场中布里曼法生长碲镉汞晶体的缺陷腐蚀分析

用化学腐蚀方法研究了磁场中布里曼法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界，在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位借和较少的亚晶界，这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。     

非晶态Se及掺杂Sb的Se薄膜晶化特性研究

利用光学显微镜和X射线衍射技术,分析了非晶态Se和掺杂Sb的Se薄膜的晶化特性.Se薄膜由于保存周期不同以及Sb掺杂到Se中的Sb含量的多少都会影响Se的晶化特性;在热处理下薄膜的晶化呈现各向异性的择优生长.分析了晶化过程中微裂纹的产生,晶界的产生和体积收缩.薄膜与衬底之间的热应力是产生微裂纹的主要因素.     

磁场对布里兹曼法碲镉汞晶体组分分布的作用

在０￣４．５ＫＧｓ的横向磁场中用布里兹曼法生长了碲镉汞晶体，轴向组分分布略见平缓，而径向组分显示出明显的偏心分布。在２￣３ＫＧｓ下，径向组分均匀性有明显改善，并获得了组分分布更为均匀的“斜”平面。     

加速度传感器信号处理集成电路的研制

设计并制作了一种用于差分电容式加速度传感器的信号处理电路。该电路具有模拟和脉宽调制两种输出方式，能够将差分电容的变化通过模拟电平和输出脉冲信号的占空比表征，实现了对差分电容式加速度传感器信号的测量。电路中集成了自检测驱动单元。电路采用4μmP阱CMOS工艺制作。初步测试结果表明：在1～5pF内，电路的灵敏度为10．7V／pF，可满足大多数差分电容式传感器信号处理的要求。     

加速度传感器信号处理集成电路的研制

设计并制作了一种用于差分电容式加速度传感器的信号处理电路.该电路具有模拟和脉宽调制两种输出方式,能够将差分电容的变化通过模拟电平和输出脉冲信号的占空比表征,实现了对差分电容式加速度传感器信号的测量.电路中集成了自检测驱动单元.电路采用4 μm P阱CMOS工艺制作.初步测试结果表明:在1～5 pF内,电路的灵敏度为10.7 V/pF,可满足大多数差分电容式传感器信号处理的要求.