首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   95篇
  免费   19篇
  国内免费   14篇
化学   7篇
物理学   74篇
无线电   47篇
  2014年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   2篇
  2009年   7篇
  2008年   17篇
  2007年   13篇
  2006年   8篇
  2005年   7篇
  2004年   7篇
  2003年   8篇
  2002年   10篇
  2001年   8篇
  2000年   12篇
  1999年   4篇
  1998年   3篇
  1997年   1篇
  1996年   2篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
  1990年   1篇
  1988年   3篇
  1987年   1篇
  1983年   2篇
  1980年   1篇
  1979年   1篇
  1976年   1篇
排序方式: 共有128条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
偏硅酸钙中Pr3+的4f5d态的光谱特性及Pr3+→Gd3+的能量传递   总被引:2,自引:0,他引:2  
合成了高效发射UV光的CaSiO3:Pr^3 新型荧光体,研究了室温下Pr^3 的4f5d态的发射和激发光谱,Pr^3 的4f5d态的最低子能级向4f^2组态的^3H4,^3H6和^1G4能级跃迁产生UV发射,并不伴随有4f-4f能级跃迁的可见光发射。Pr^3 的浓度猝灭是由于辐射和无辐射能量传递造成的,同时,在CaSiO3中,存在Pr^3 →Cd^3 的能量传递,探讨了其能量传递特性。  相似文献   
2.
两种蓝色有机电致发光材料   总被引:4,自引:1,他引:3  
重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质,以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能,特别研究了它稳定性,在这度和效率方面,两种器件并没有很大差别,然而在稳定性方面却有很大差别,蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下,半亮度寿命可达1035h,而DPVBi的器件在同样条件下,半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图,认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同,JBEM优于DPVBi,是一种很有前途的蓝色发光材料。  相似文献   
3.
OLED矩阵同步显示VGA视频的灰度控制研究   总被引:7,自引:7,他引:0  
研究探讨了有机电致发光显示器件(OLED,96RGB×64)矩阵同步显示VGA视频的灰度控制。设计采用“位平面加权”的方法重现灰度,利用对2组SRAM交替读写的方法进行同步缓冲,整个电路系统是基于ALTERA公司的可变程逻辑(FPGA)技术进行设计的。仿真结果表明,该方案能够实现预定目标,在OLED矩阵上实现多灰度、全彩色的同步VGA视频显示。  相似文献   
4.
新型高色纯度弱电流猝灭性蓝色有机发光器件   总被引:1,自引:0,他引:1  
以ADN为基质,分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件,器件结构为:CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有:BCzVB(amino-substituted distyrylarylenederivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件,色坐标达到x=0.146,y=0.162,最大亮度为11600 cd/m2(15 V),电流效率为2.8 cd/A,流明效率为1.79 lm/W;以ADN为基质,分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂,制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光),效率随电流的增加而降低很快;器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标:x=0.164,y=0.146),但电流效率较低:2.03 cd/A,效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A,效率随电流增加变化幅度不大,但色纯度比较差(x=0.153,y=0.306),适合于做白色有机发光器件。  相似文献   
5.
研究了ZnSe:Mn的光导激发谱.室温下观察列两个峰:4600Å和5380Å.还研究了4400Å及5200Å激发下光导与温度的关系.根据这些实验认为:Mn2+离子的第一激发态4T1,非常接近导带.理论上导出了5200Å激发下光导对温度的依赖.调节参数将理论与实验进行拟合.从选定参数中得出:Mn2+的4T1态位于导带下0.054eV.4400Å激发下光导与况度的关系用陷阱的作用解释.陷阱深度估计为0.4eV.  相似文献   
6.
本文研究了室温下Pr^3 在Sr2SiO4中的发射光谱和激发光谱,在激发光谱中,最低激发峰位置低于^1So能级位置,属于5d态的吸收。发射光谱主要由5d→4f的跃迁构成,未观测到Pr^3 和^3Po和^1D2的辐射跃迁。Pr^3 的掺杂浓度在0.01mol左右时,其发射强度接近最大。在Sr2SiO4:Pr^3 ,Gd^3 体系中,Pr^3 体系中,Pr^3 的5d→^3H4的跃迁与Gd^3 的^8S7/2→^6I能级的吸收跃迁相匹配,因此发生了Pr^3 →Gd^3的高效无辐射能量传递。固定Pr^3 的浓度时,随着体系中Gd^3 离子浓度的增加,Gd^3 的发射强度也随之增强,同时,Pr^3 的发射强度则逐渐下降。  相似文献   
7.
We demonstrate a highly efficient inverted top-emitting organic light-emitting diode (TOLED) having stable electroluminescent spectra and color coordination with variation of viewing angles by simply tuning the reso- nance wavelength corresponding to the free emission of the emitter. Using a doped fluorescent emitting system, the inverted TOLED exhibits an enhanced maximum current efficiency of 19 cd/A and a power efficiency of 17 lm/W, which are much higher than those (11 cd/A and 5 lm/W) of the counterpart with normal structure, although both TOLEDs behave with similar stable electroluminescent spectra characteristics. The results indicate that we provide a simple and effective method of constructing an excellent inverted TOLED for potentially practical applications.  相似文献   
8.
硼玻璃中Dy3+及Sm3+的辐射跃迁几率和无辐射跃迁几率   总被引:2,自引:2,他引:0  
硼玻璃中掺杂Nd3+,Er3+,Tm3+等小能隙的稀土离子,由于硼玻璃声子能量大,多声子无辐射几率大,影响其发光效率。但由于硼玻璃熔点低,加工容易,对于民用上常用的Sm3+,Dy3+,Eu3+,Tb3+等大能隙物质,多声子无辐射跃迁不是主要因素的情况下,发光效率将如何是本文要研究的问题。另外,辐射跃迁性质的研究对于能量传递机理的研究也是很有意义的。  相似文献   
9.
对纯化的未掺杂和再掺杂的ZnTe的边缘光致发光的研究表明:长期以来把一些固有的浅受主归因于双次离化阴离子空位受主或施主受主复合体的观点是不正确的。从束缚激子发光伴线以及从施主受主对发光的激发光谱所揭示的受主和施主激发态正确估计了杂质和能带的参数。  相似文献   
10.
具有高效空穴注入的高电子传输层的白光电致发光器件   总被引:1,自引:1,他引:0  
以M003或m-MTDATA作为空穴注入层,Alqa或Bphen作为电子传输层组合了4组白色有机电致发光器件.发光层为9,10-bis(2-naphthyl)-2-t-butylanthracene(TBADN)掺杂3%的P-bis(P-N,N-diphenyl-aminos-tyryl)benzene(DSA-ph)作为蓝色掺杂剂和0.05%的4-(dicyanomethylene)-2-t-bul:yl-6-(1,1,7,7,-tetramethyl-julolidy-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)作为红色掺杂剂.研究表明基于M003//Bphen结构的器件大大降低了驱动电压,改善了功率效率,在电流密度为20 mA/cm2时,其值分别为5.43 V和4.54 lm/W.与基于m-MTDA-TA//Alq3结构的器件相比,驱动电压降低了40%,功率效率提高57%.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号