表面横波谐振器的仿真与设计

针对现有表面横波谐振器设计软件仿真精度不够的问题,通过引入中间栅P矩阵模拟其对声波的反射和声速的调制作用,计算不同占空比栅阵的耦合模参数,在仿真中加入了中间栅周期、分布和换能器占空比等变量,实现了对中间栅、占空比的优化设计.利用寄生电路计算模块,分析了封装寄生参数的影响,进一步提高了仿真精度.利用该法设计了中心频率315 MHz、插入损耗12 dB、品质因数7 000的谐振器.经实验证实,仿真误差小于0.5%,仿真精度满足设计需要.     

CPLD在基于PCI总线的功率模块设计中的应用

针对机电一体化开发平台中微处理器模块与功率模块通过PCI总线实现通信．介绍了一种基于复杂可编程逻辑器件（CPLD）的驱动直流电机的脉宽调制（PWM）电路设计。该电路设计可产生三路占空比与频率可调的PWM信号,实现PWM控制直流电机。     

2 GHz宽带低损耗SAW滤波器的研制

利用射频电路模拟软件中构建的声表面波(SAW)低损耗滤波器设计工具,对S波段SAW滤波器的设计技术展开研究。通过建立集总参数模型,分析高频下封装效应对滤波器性能的影响,并成功研制出中心频率达2.2GHz,最小插入损耗为-3dB,相对带宽达到7%的SAW滤波器,测试与仿真结果基本一致。     

软件无线电中直接波形合成的研究

直接数字频率合成（DDS）是一种新型的频率合成技术。介绍了如何利用DDS技术来产生调频波形及其他的数字调制波形;阐述了一种新的适合于软件无线电实现的算法,即采用预先计算后存贮在贮存器中的波形来代替实时运算,直接合成数字调制波形（DWS）;研究了一种压缩查找表的方法。此外,还对此算法在实现过程中遇到的截断误差、运算量和存贮量的问题进行了探讨。对于所提及的算法,给出了仿真结果。     

在非晶硅上制备角度可控缓坡的方法

介绍了一种利用光的衍射原理制备角度可控缓坡微结构的方法。该方法在光刻步骤中通过调节掩膜板与基片之间的垂直距离来控制光刻胶图形边缘曝光量,光刻显影后得到剖面为正梯形的光刻胶图形,再经过干法刻蚀得到非晶硅的缓坡微结构。结果表明,制备的非晶硅缓坡结构角度（可小于30°）可控,制备方法简单,与半导体工艺兼容,可避免湿法刻蚀带来的过蚀及角度不均匀问题。     

针对Honeypot的指纹识别及其防御对策

本文在对Honeypot简要介绍的基础上,主要分析了针对Honeypot的指纹识别原理以及常见的识别方式,最后对指纹识别给出了一定的防御对策。     

用于磁控溅射膜的一种剥离技术

为了解决磁控溅射膜的剥离问题,该文研制了一种新型的双层胶剥离技术。通过调整双层光刻胶的坚膜时间、坚膜温度和显影时间,制备出好的光刻胶倒梯形形貌,得到磁控溅射膜较好的剥离效果。为薄膜体声波谐振器（FBAR）的研制提供了有意义的指导。     

基于级间电容抵消技术的74~88 GHz高性能CMOS LNA设计北大核心

采用55 nm CMOS工艺,面向毫米波雷达应用,设计了一款74~88 GHz高性能CMOS低噪声放大器(LNA)。该LNA应用共源共栅结构,为了改善噪声系数、提高稳定性增益,采用级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术和基于反相双圈耦合的等效跨导增强技术。和传统共栅短接技术相比,级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术改善噪声系数1.58 dB,提高稳定性增益7.67 dB。芯片测试结果表明,LNA峰值增益为17.1 dB,最小噪声系数为6.3 dB,3 dB带宽为14 GHz(74.8~88.8 GHz),在78 GHz中心频率处输入1 dB压缩点(IP1dB)为-10.2 dBm,功耗为102 mW。     

适配体介导纳米银催化共振瑞利散射法测定水中痕量钾离子

在钾适配体(ssDNA)探针存在时,ssDNA吸附在纳米银表面,导致纳米银的催化作用弱,而当溶液中存在钾离子时,形成钾离子-ssDNA复合物,使ssDNA从纳米银表面脱附,此时纳米银得到释放,从而纳米银催化作用增强。随着钾离子浓度的增加,脱附的银纳米粒子越多,催化H_2O_2还原HAuCl_4反应加快,随着钾离子加入量的增大,催化反应速率随之显著增强,生成的金纳米溶胶具有较高的共振瑞利散射(RRS)效应,导致体系在300nm处的RRS强度线性增强。钾离子浓度在0~1.5μmol·L~(-1)范围内,于300nm处的RRS强度增强值ΔI呈良好的线性关系。据此,可建立一种间接检测钾离子的RRS方法。     

硫化物固态电解质Li10GeP2S12与锂金属间界面稳定性的改善研究

通过N-丁基-N-甲基哌啶双（氟磺酰）亚胺盐离子液体和双（氟磺酰）亚胺锂盐修饰了Li|Li₁₀GeP₂S₁₂界面，并研究了界面的改性效果.研究结果表明，在界面处原位生成一层致密的固体电解质界面膜（SEI），具有一定流变性的离子液体可渗透到Li₁₀GeP₂S₁₂晶粒内部；在0.1 mA/cm²的电流密度下，界面改性后的Li|Li₁₀GeP₂S₁₂|Li对称电池可稳定循环1500 h以上，极化电压仅为30 mV.在2.5~3.6 V电压范围内，Li|Li₁₀GeP₂S₁₂|LiFePO₄电池在0.2C倍率下充放电循环的首次放电比容量为148.1 mA·h/g，库仑效率为95.8%，经过30次循环后容量保持率为90.1%.