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为了制备纯度11N以上、直 径Φ大于 45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径 超高纯单晶Si材料,本文在真空气氛下提纯并生长Φ52~65mm探测器级区熔(FZ,float zone)Si单晶, 并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷 等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明,丹麦加热线圈表面带有台阶 和十字开口,是提纯和生长Φ大于45mm 多晶Si和单晶Si的理想线圈;适当提高单晶转速和 生长速度有利于降低断面电阻率不均匀率,且提高转速的效果更加明显;真空气氛下, 提高热场对中性可抑制漩涡缺陷的产生,其对漩涡缺陷的影响比单晶Si生长速度更加显 著,这是与Ar气气氛FZ不同的;多晶Si提纯次数越多单晶Si寿命越低,降低多晶Si原 料中的P/B和重金属原始含量有利于提高单晶Si寿命;若要制备少子寿命大于800μs, 符合探测器级标准的Φ52~65mm Si单晶 ,多晶Si原料少子寿命应大于3000μs。 相似文献
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以葡萄糖为碳源,采用固相法制备了Li4Ti5O12/C复合材料。探讨了不同反应气氛(N2/O2)对材料物理性质及电化学性能的影响,并通过XRD、BET、电导率、电性能等测试手段对其进行表征。结果表明:氮气气氛中烧结的样品粒度、比表面积、电导率均比空气中烧结样品大。氮气中烧结样品的倍率性能优于空气中 烧结样品,在以0.1C倍率充放电时,首次放电比容量为166.8mAh/g。两样品1C时,经过50次循环容量保持率差别不大。 相似文献
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π/4-DQPSK调制解调硬件实现中的误码率分析 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了全数字π/4差分四相移相键控的(DQPSK)调制解调电路原理,应用最新提出的1bit解调算法成功实现解调,该算法大大简化了解调部分的数据处理。分析了新的1bit解调算法理论误码率,比传统的8位π/4—DQPSK差1.5dB。当信噪比不低于15dB时,该算法误码率可达10^-7,仍是一有效解调方法。在Xilinx ise5.2开发环境下用VHDL语言实现调制解调,RTL仿真结果有误码存在,分析发现实现过程中将1kHz时钟用做2^10(1024)进行分频引起了频率误差,对该误差带来的误码进行仿真分析,同时提出改进的方案,即分频设计时让计数器在0~2″-x之间循环计数,通过仿真证明该方案达到了预期的减小误码率的效果。 相似文献
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以葡萄糖为碳源,采用固相法制备了Li4Ti5O12/C复合材料. 探讨了不同反应气氛(N2/O2)对材料物理性质及电化学性能的影响,并通过XRD、SEM、BET、电导率、电性能等测试手段对其进行了表征. 结果表明,N2气气氛中烧结的样品粒度、比表面积、电导率均比空气中烧结样品大. N2气中烧结样品的倍率性能优于空气中烧结样品,在以0.1 C倍率充放电时,首次放电比容量为166.8 mA·h/g. 2种样品在1 C时,经过50次循环容量保持率差别不大. 相似文献
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基于传统铁通仓库管理体系无法支撑新时期铁通工程业务发展的物料管理需求。针对人数配备不够、因工作流程不清晰造成的工作效率低等问题,自主研发利用"简道云"工具基于钉钉的铁通工程仓库管理系统。分析搭建了出入库登记、条形码识别入库等流程,在不增加人员成本的基础上通过信息化系统管理,使公司的仓储管理流程取得了非常明显的改进。 相似文献
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增大层间距对天然石墨可逆储锂性能的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用石墨嵌入化合物(GIC)制备技术处理天然石墨, 然后在其表面包覆一层软炭前驱体, 并在惰性气氛下热处理. 所得样品不但层间距保持了拉大的状态, 而且还在天然石墨内部预留了膨胀空间. 成功地找到了在保持天然石墨粒度和碳六角平面直径不显著改变情况下, 提高石墨层间距, 预留膨胀空间的石墨改性方法. 分析表明, 石墨嵌入化合物表面含有的大量含氧官能团, 在软炭前驱体包覆石墨嵌入化合物的过程中, 含氧官能团与沥青之间的反应和石墨嵌入化合物分解产生气体的溢出阻碍了层间距和预留空间的恢复. 将这种材料用于锂离子电池负极材料, 石墨的可逆储锂容量变化不大, 但是倍率放电性能和循环性能得到明显改善. 这主要是因为加大层间距和预留膨胀空间, 拓宽了锂离子扩散通道, 降低了石墨嵌锂膨胀引起的包覆层破裂. 相似文献
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