双[4-(2,4-二特戊基苯氧基)邻苯二腈铜]LB膜材料的合成

近年来,随着LB膜研究的进展,成膜材料的种类逐渐增多、其中有关酞菁衍生物LB膜材料的报道较多。本文合成了下述新型结构的化合物:     

高掺杂Ce,Gd(Y_(3-x-y)Ce_xGd_y)Al_5O_(12)荧光粉的发光下降及温度猝灭特性

采用高温固相法分别合成了不同Ce浓度掺杂的和固定Ce浓度为0.06不同Gd浓度掺杂的Y3Al5O12(YAG)系列荧光粉,通过测量其激发、发射光谱、漫反射光谱、荧光寿命和变温发射光谱,研究了掺杂元素的浓度对荧光粉发光性能的影响以及荧光粉发光的温度猝灭性质。研究结果表明:荧光粉发光强度随着Ce3+掺杂浓度和Gd3+掺杂浓度的提高均呈下降趋势。分析发现,荧光粉发光强度下降并非主要由浓度猝灭所引起,而是由于高浓度掺杂下发生YAG基质与Ce3+对激发光的竞争吸收,导致Ce3+对激发光的吸收量减少,从而影响发光强度。温度实验表明,随着温度的升高,荧光粉发光强度下降。Ce含量的改变对YAG:Ce荧光粉的热猝灭性质影响较小,Gd的掺杂使荧光粉的发射波长向长波方向移动,同时热猝灭现象严重。     

聚乙烯基咔唑与8-羟基喹啉铝混合体系的荧光衰减

报道了8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑薄膜及其混合体系膜的荧光衰减特性。聚乙烯基咔唑／8－羟基喹啉铝重量比100：4的混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为6．47ns和8．5ns。重量比100：10混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为5．5ns和7．9ns。上述两波长对应8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑分子荧光发射。混合体系的荧光寿命仅为8－羟基喹啉铝分子荧光的40％，同时也低于聚乙烯基咔唑14ns的荧光寿命。荧光寿命的减少反映出两种分子之间存在较强的相互作用或形成了分子复合体。     

白光发光二极管的制备技术及主要特性

利用发射波长为470nm的蓝光发光二极管作为基础光源，通过荧光粉转换方法制备白光发光二极管，荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y3Al5Ol2：Ce3 (YAG)。在工作电流为15mA条件下，所研制的白光LED的法向光强为2890mcd；色坐标为x=0.29，y=0．33；显色指数为77；流明效率为14．9lm／w。研究制备了不同色温的白光LED，色温范围从2700～8000K，研究了色温与色坐标之间的对应关系。并且与国外同类产品进行比较。部分指标已经超过了国外同类产品水平。     

烧结温度对羟基磷灰石靶的影响

为研究烧结温度对羟基磷灰石靶的影响规律,把纯度为99%的羟基磷灰石粉末压制成圆盘形靶后,在氩气中分别在600℃、700℃和800℃高温下进行烧结。用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对未烧结和不同温度下烧结的羟基磷灰石靶进行检测。检测结果表明：烧结温度对羟基磷灰石靶的结晶度和组成元素没有显著影响。但是随着烧结温度的升高,羟基磷灰石靶的平均粒径和钙磷比值都增大。800℃高温烧结的羟基磷灰石靶将具有更好的生物相容性、生物活性和稳定性。     

高温烧结羟基磷灰石靶的细胞相容性

为研究高温烧结羟基磷灰石靶的细胞相容性,把纯度为99%的羟基磷灰石粉末压制成圆盘形靶,在氩气中在800℃高温下烧结成型。用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对羟基磷灰石靶的结构组成进行检测。用四氮唑盐比色法对羟基磷灰石靶的细胞相容性进行检测。检测结果表明：纯度为99%的羟基磷灰石粉末在压制成型和800℃高温烧结的过程中化学组成没有发生变化,羟基磷灰石靶中的平均粒径为78.2nm、结晶度为89.4%、Ca/P比值为1.592,具有很好的细胞相容性。     

浅谈电信4G与LTE配套传输光缆网的建设

随着中国电信4G基站即将进行的规模建设,以及少量3G基站和数据网IPRAN的建设,城域网光缆作为配套的传输承载网,将LTE配套传输光缆网的建设作为重要内容,探讨整个城域网的光缆的部署及建设,并充分考虑相关因素,将显得尤为重要。文章将围绕电信4G与LTE配套传输光缆网的建设等技术方面深入分析,在光缆规划中更好地促进电信4G建设的整体功能。     

温度和电流对白光LED发光效率的影响

对大功率白光LED发光效率进行了研究,得出温度和电流对LED发光效率的影响:随着温度的升高,势阱中辐射复合几率降低,从而降低了发光效率;电流的升高,使更多的非平衡载流子穿过势垒,降低了发光效率。LED工作时,过高的工作温度或者过大的工作电流都会产生明显的光衰:如果LED工作温度超过芯片的承载温度,这将会使LED的发光效率快速降低,产生明显的光衰,并且对LED造成永久性破坏;如果LED的工作电流超过芯片的饱和电流,也会使LED发光效率快速降低,产生明显的光衰。并且LED所能承载的温度与饱和电流有一定关系,散热良好的装置可以使LED工作温度相对降低些,饱和电流也可以更大,LED也就可以在相对较大的电流下工作。     

8-羟基喹啉铝/镁结接触特性研究

在常温下测量了ＩＴＯ／８－羟基喹啉铝／Ｍｇ／Ａｇ结构的有机结型器件的电容－电压和伏安特性．它与常见的半导体结型器件特性有很大不同．在小偏压下，界面附近的空间电荷和表面层积累的载流子共同决定对器件的界面特性．在高偏压下，隧穿注入的载流子在膜层内的漂移对器件的电学特性产生主要影响．     

4-(2-甲氧基乙氧基)-三-4-(2,4-二特戊基苯氧基)酞菁铜的合成及其LB膜特性研究

LB膜的特性在很大程度上决定于成膜分子的结构。铜酞菁衍生物具有大π键电子共轭体系,有明显的光电特性,成膜性好,很适于作LB膜气敏材料。我们在前期工作的基础上,为探明气敏特性与化合物结构间的关系,设计并合成了标题化合物,并对其LB膜的气敏特性进行了研究。