TFT-LCD制造工艺中金属残留的解决方案

在TFT-LCD阵列的四次掩模技术中,复合层刻蚀是非常难控制的一道工序,最突出的问题是在复合层刻蚀后信号线的两边有金属残留,金属残留会对之后的绝缘层产生影响,导致断层等不良.调整复合层刻蚀工艺是目前解决金属残留问题的通用方法,但是都没有根本地解决这个问题.文章通过研究信号线刻蚀时间对复合层刻蚀后金属残留的影响,认为通过...     

CL2+SF6混合气体对Si和SiNx的离子刻蚀研究

采用统计实验方法研究了利用SF6 Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下,将Si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数。文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对Si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响。并通过光谱分析来深层次地讨论刻蚀速率受SF6含量影响的原因。