一种高精度6位数控移相器研制

采用0.18μm GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款2～6.5 GHz高精度6位数控移相器.为了达到较小的插入损耗和较小的版图面积,采用桥T型高/低通滤波器拓扑结构对5.625°移相器单元进行设计.采用开关切换全通滤波拓扑结构对11.25°、22.5°、45°、90°、1...     

“两学一归纳”在初中数学中的实践——以“反比例函数的图象和性质”为例

以“反比例函数的图象和性质”为例,借鉴“两学一归纳”的教学方法,秉承提升学生数学核心素养的教学理念,精准把控学生心理,对初中数学教学方案进行设计,力求为学生提供优良的学习氛围.     

基于无线车载设备的动态交通信号优先控制方法研究

目前在国内大中小城市,交通量急剧增长,因此选择合理的出行方式尤为必要。本文所描述的动态交通信号优先控制方法主要是在公交车上安装无线车载设备,通过中继器实现与路口信号机的对话,实现车与路、车与车之间的通信,进而实现公交优先控制,达到优化道路交通结构、缓解道路交通压力的目的。     

0.3～3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计

基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3～3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°～360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构,45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构,90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明：在0.3～3.0 GHz频段内,数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°,插入损耗小于18 dB,全态移相附加调幅小于±1 dB,输入输出驻波小于1.9,静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。     

直拉硅中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响

研究了掺氮直拉硅单晶（NCZ）中氮在高温退火过程中对氧沉淀的影响.通过不同温度高温退 火后，测量氧沉淀的生成量和观察硅片体内微缺陷（BMD）密度与高温形核时间的变化关系 ，同时用透射电子显微镜(TEM)观察氧沉淀及相关缺陷的微观结构.实验结果表明高温退火后 氮对硅中氧沉淀形核有明显的促进作用，在相同退火条件下NCZ硅中BMD密度要远远高于相应 的普通直拉硅.这是由于氮在高温下与氧反应形成氮氧复合体（N-V-O）促进了氧沉淀的形核 ，而且TEM的结果表明氧沉淀的形态都是平板状，周围存在应力场. 关键词： 直拉硅 掺氮 氧沉淀     

一款DC～40 GHz六位数控衰减器芯片设计

针对微波通信等领域的整机系统对超宽带数控衰减器的需求,采用GaAs pHEMT 0.15μm工艺研制了一款DC～40 GHz带数字驱动的6位数控衰减器芯片。衰减器电路采用6个基本衰减单元级联结构,每个衰减单元采用合适的电路拓扑,通过合理优化后,实现了低插入损耗、高衰减精度、低衰减附加相移和小尺寸的目标。由芯片在片测试结果可知,插入损耗小于6.5 dB,输入输出电压驻波比小于1.8:1,均方根衰减精度（64态）小于0.8 dB,全态衰减附加相移小于±10°,静态功耗为3 mA@-5 V,芯片尺寸为2.08 mm×1.1 mm×0.1 mm。     

17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器的设计

采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一款17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）结构。测试结果表明,在17～21 GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 d B,均方根相位误差（RMS）值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 d B和0.6 d B之间,电压驻波比（VSWR）小于1.5。