快速启动双反馈环路LED恒流输出通道设计

为了解决LED恒流驱动输出电流不稳的问题,提出采用双反馈环路的通道结构.在此基础上,设计了采用分段模式的快速启动电路,可极大地提升通道的开启速度.基于0.25 μmBCD工艺,完成HSPICE仿真.结果显示,该系统的外环路增益为83 dB,相位裕度为80°,通道间电流互不影响.当电流在5～45 mA范围内变化时,快速启动电路正常工作,通道的开启时间仅为4 ns,开启速度较传统结构有显著提升.该输出通道已成功应用于LED恒流驱动中.     

一种采用斩波调制的高精度带隙基准源的设计

为了抑制运算放大器的输入失调电压对带隙基准源的影响,提高输出电压的精度,基于斩波调制技术,设计了一种高精度带隙基准源电路.通过0.25 μm BiCMOS工艺模型仿真验证,结果表明,运算放大器的差分输入对管的失配为±2％时,该基准源的输出电压波动峰峰值为0.38 mV,与传统带隙基准源相比,相对精度提高了113倍.当电源电压在2.5～6.0V内,基准电压源的波动小于0.085 mV,温度为-40～125℃时,电路的温度系数为19ppm/℃.     

一种高速恒流输出驱动电路的设计

提出了一种新型的恒流输出驱动电路,该电路保持了传统电路的低负载电压调整率,同时,采用瞬间增强运放驱动的方式,提升了电路的开启速度.基于0.25 μm BCD工艺,完成HSPICE仿真.结果表明,电路的负载电压调整率近似为0;输出电流为30 mA时,电路的开启时间仅为10.3 ns;在不同输出电流下,电路开启时间的差异较小.该电路可应用于开关电源、手机充电器及LED显示屏等电路芯片中.     

MOS结构γ总剂量效应仿真模型研究

研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性.仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真.