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1.
通过对微透镜阵列结构进行深入研究,揭示了微透镜阵列对微图形的放大原理。并在此基础上,找到了微透镜阵列结构参数、微图形结构参数与微图形阵列移动速度、移动方向以及放大倍率之间的关系,利用微透镜阵列实现了对微图形放大、动态、立体的显示。 相似文献
2.
提出了一种人工复眼结构的制备技术。人工复眼结构是由类似于昆虫复眼的很多小眼组成。这些小眼分布在球冠基底上以能够像昆虫复眼一样实现大视场探测。通过分析不同制备技术的特点及适用范围,研究材料的特性以及不同材料之间的关系,并将各种制作工艺以及材料相融合,发展了一种可用于制备曲面微阵列元件的制备方法。在该方法中,利用微加工技术在平面上制备作为子眼的微透镜列阵结构;然后利用软光刻技术将该微透镜结构进行翻模,获得分布在柔性基底上的凹透镜列阵结构;最后利用浇铸复制技术将柔性基底上的结构转移到球冠基底上,获得所需的人工复眼结构。利用该方法,开展了相关实验,在曲面基底上制备出了包含20 000多个子眼的人工复眼结构。 相似文献
3.
精确控制大数值孔径微透镜列阵面形的显影阈值方法 总被引:3,自引:1,他引:2
提出了一种可对大矢高、非球面微透镜阵列面形进行精确控制的新方法。针对不同面形的微透镜阵列,该方法首先对光致抗蚀剂表面的曝光分布进行设计,然后,利用光致抗蚀剂显影过程中的阈值特性,对微透镜的面形实行控制。当抗蚀剂显影速率接近0时,即可获得设计的微透镜面形。该方法不仅大大提高了微透镜阵列矢高的加工范围,而且还减小了光刻材料显影特性对微透镜面形的影响,提高了微透镜阵列的面形控制精度,在实验中获得了矢高达114μm的微透镜阵列。最终实现了大浮雕深度、大数值孔径、非球面微列阵光学元件的面形控制。 相似文献
4.
负性光刻胶刻蚀工艺研究 总被引:3,自引:2,他引:1
对负性光刻胶的蚀刻特性进行了详尽的数学阐述,推导出了光致抗蚀剂层的刻蚀速度同曝光量以及光刻材料吸收系数之间的微分关系.以该微分方程为理论依据,通过对光刻显影过程进行模拟,得出了蚀刻最佳浮雕面形所需的光刻条件,并以"重铬酸盐-明胶"为光刻材料进行实验,获得了良好的实验结果. 相似文献
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建立了抗蚀剂表面曝光量分布与抗蚀剂内部PAC浓度分布之间的关系,通过分析抗蚀剂内部PAC浓度分布特点,发现了抗蚀剂显影过程中的壁垒效应。在此基础上,提出一种新颖的微浮雕面形控制方法——等PAC浓度曲线面形控制技术。该方法克服了抗蚀剂显影模型精度以及显影不稳定性对浮雕面形的影响,使光刻胶上微结构浮雕深度超过100μm,面形均方根误差小于1μm。 相似文献
6.
微透镜列阵成像光刻技术 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种利用微透镜列阵投影成像光刻的周期微纳结构加工方法.该方法采用商业打印机在透明薄膜上打印的毫米至厘米尺寸图形为掩模,以光刻胶作为记录介质,以微透镜列阵为投影物镜将掩模缩小数千倍成像在光刻胶上,曝光显影后便可制备出微米、亚微米特征尺寸的周期结构列阵.基于该方法建立了微透镜列阵成像光刻系统,并以制备800 nm线宽、50 mm×50 mm面积的图形列阵为例,实现了目标图形的光刻成形,曝光时间仅为几十秒,图形边沿粗糙度低于100 nm.该方法系统结构简单、掩模制备简易、曝光时间短;为周期微纳结构的低成本、高效率制备提供了有效途径. 相似文献
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烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响 总被引:6,自引:1,他引:5
采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量. 相似文献
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