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硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。近几年来,这种器件发展很快,性能有很大的提高。目前,人们正在发展长波硅肖特基势垒红外CCD,因此,对硅肖特基势垒二极管的光谱响应十分关注。本文对硅化 相似文献
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红外焦平面参数定义和测试方法的讨论 总被引：1，自引：1，他引：1
通过对比焦平面与单元探测器结构和工作模式的不同，提出了焦平面的参数量纲、“空间噪声”和“2－D*”等问题的讨论，以及焦平面参数的测试方法，尤其是噪声的测试方法，与单元探测器有很大不同。 相似文献
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提出用均方根偏差度来表征CCD摄象器件光敏元响应的不均匀度,理论分析了不均匀度测量对转移效率测量的依赖关系,得出一种精确测定不均匀度及转移效率的新方法,建立了测量系统。实验结果与理论分析相符。 相似文献
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在反偏、无光照、室温条件下测量了PiN硅光二极管(其光谱响应从0.4～1.2μm)中的电流噪声频谱。利用硅光二极管与高阻低噪声前置放大器的最佳组合法,在美国H-P3585A频谱分析仪上测量了20Hz～70kHz带宽内的噪声频谱。实验证实了对硅光二极管噪声机理的物理分析:在低频时,1/f噪声的贡献是主要的;在中频区,产生复合噪声(散粒噪 相似文献
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