MEMS开关封装结构热形变对芯片性能的影响

模拟了处在一定功率密度或不同温度下封装结构贴片的形变引起的X波段MEMS开关芯片的形变,从而导致的开关芯片性能的变化。用Coventor软件模拟出在开关衬底为200μm,贴片处功率密度为300pW/μm2时,开关芯片的形变量为0.142μm;开关衬底为300μm,温度为373K时,开关芯片的形变量为0.791μm。进一步用HFSS模拟出开关的插入损耗在中心频率10GHz处由封装前的0.042dB和0.022dB变化为封装后的0.078dB和0.024dB。     

RF MEMS开关吸合电压的分析

吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RF MEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压,计算表明比准静态吸合电压小8%.通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式,详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压.分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响,阻尼使得开关的两种吸合电压差别变小.最后分析了射频输入功率对开关吸合电压的影响,射频输入功率会降低吸合电压,如果输入功率足够大,吸合电压将会降为零,此时MEMS开关会发生自执行失效.     

RF MEMS开关吸合电压的分析

吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数,针对RF MEMS开关,详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压.对于执行电压是脉冲方式而言,开关梁受迫振动,不同于准静态方式,此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压,计算表明比准静态吸合电压小8%.通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式,详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压.分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响,阻尼使得开关的两种吸合电压差别变小.最后分析了射频输入功率对开关吸合电压的影响,射频输入功率会降低吸合电压,如果输入功率足够大,吸合电压将会降为零,此时MEMS开关会发生自执行失效.     

新颖的双间隔RF MEM可变电容的设计与模拟

设计了一种可用于射频(RF)通信系统中的MEM平行板可变电容,采用新颖的双间隔(two-gap)结构、金属铝极板、折叠“Y”形支撑和厚度不均的可动极板。用CoventorWare软件模拟了电容的C-V特性,当控制电压从0变化到10V时,RF信号电容相应从0.37pF增加到5.64pF,变容比约为15.24∶1;用HFSS软件模拟了电容的S11参数,电容的品质因数Q在1.8GHz下约为77.78。