一种用于SOC设计中的智能I/O处理器的实现

文章介绍了SOC设计流程，智能I／O处理器组成，在开发该处理器对VHDL源代码的优化问题。     

函数模拟法求解锥形模超塑挤压的力学场——超塑挤压解析理论之一

本文首次用模拟位移函数的方法,给出锥形模超塑挤压力学场的解析式以及应变、应变速率和应力的约束方程。由于实验选用的是典型超塑性合金ZnAl₅,所以结果有相当的包络性。即使对于非典型超塑性材料,这种方法亦有普遍意义。     

不可摸数

计算隅500 000以下的不可摸数73 565个。     

煤加氢液化研究—模型化合物的加氢裂解

在快速升温和冷却的共振搅拌反应管中,以四氢萘为溶剂,进行了六种模型化合物的加氢裂解试验。反应条件如下:反应温度300—450℃,氢初压3.0—9.0MPa,表观反应时间5—45 min。试验结果表明,这六种化合物加氢裂解稳定性顺序为:二苯甲烷>二苯醚>二苯乙烷>苯基苄基醚>二苄基硫醚和二苄基二硫醚。裂解为一级反应,根据试验结果计算了苯基苄基醚和二苯乙烷的表观反应速度常数和活化能,前者ΔE 为83.9 kJ/mol,后者ΔE 为150kJ/mol。提高氢初压,使用预硫化的Mo-Ni 催化剂、Y 型和5A 型分子筛或添加易裂解化合物作自由基引发剂对模型化合物的加氢裂解均有利。     

微机械的三维微细加工技术

在微机械加工中,三维微细加工是不可缺少的。加工方式有复制掩模图使图形一次形成的方式和用聚焦光束等通过描绘使图形逐次形成的方式。这些方式被应用在立体微细加工或表面微细加工上,复制方式中,开发了作为立体加工的、可高速穿透蚀刻基板的低温高速反应离子蚀刻(RIE)技术和作为表面加工的投影光化学气相淀积(CVD)技术。描绘方式中,开发了作为立体加工的硅激光辅助蚀刻技术和作为表面加工的、可在非平面聚合物上形成金属配线的激光CVD技术。这些技术己被应用在微型传感器与微型致动器的制造上。     

这里与世界同步——中国国际计算机展览会观后

由中国电子进出口总公司、IDG中国计算机世界出版服务公司、中国电子工业科学技术交流中心、中国国际展览中心共同主办,电子工业部赞助的’94中国国际计算机展览会于8月9日至13日在京举行.电子工业部部长胡启立、中国贸促会会长郑鸿业为展览剪彩.     

利用EGR技术生成薄膜

半导体制造工艺中的薄膜生长,迄今广泛应用的是热CVD法(Chemical VaporDeposition)和等离子CVD法,而这些方法是在高温状态下进行的,因此,对那些衬底耐热性较差或者经高温处理其性能和可靠性要降低的器件来说,利用这些方法有一定的困难。为了提高大规模集成电路、超大规模集成电路的性能、集成度和成品率,迫切需要一种能在低温下形成高质量薄膜的薄膜生长新技术。     

杯芳烃的配位化学──Ⅳ.对叔丁基杯[8]芳烃与钙、镉配合物的合成与表征

本文合成了对叔丁基杯[8]芳烃(H₈L)与钙、镉的固体配合物。并以元素分析、核磁共振、热谱、红外谱、紫外谱等进行表征。其配合物的组成分别为Ca(H₆L)·6dmf及Cd(H₆L)·6dmf.