广西龙胜珠心算选手的足迹

在广西龙胜少数民族自治县有一所龙胜小学,现在是中国珠算心算协会、中央教育科学研究所“珠心算教育具有开发儿童智力潜能作用研究”课题的实验学校。这所学校,从上个世纪九十年代初开始,就在推广三算结合教学的基础上,用珠心算的方法培养出一批又一批广西的优秀珠心算选手,为广西的珠心算发展作出了积极的贡献。这些选手的成绩,摆到全国并不算突出,但在广西她(他)们则都是佼佼者。现在,这些选手有的已经进入社会,有的正在大学里读书,她(他)们从少数民族一个山区县里走出来,有的到了北京,有的到了上海,有的到了南宁,有的到了桂林。有人问:她(他)们这一路走过来,走得还好吗?就笔者的了解,龙胜县的那批选手,现在在北京的有4人,在上海有1人,在南宁有2人,在桂林有2人。在北京的是:石庆师,她九十年代初开始学习珠心算,曾在广西小学生珠心算比赛中获得过三连冠,中央电视台“第二起跑线”在广西录制节目时,被邀请到录制现场作珠心算表演,博得一阵又一阵的热烈掌声和喝彩声,1995年随广西珠算代表团出访日本,进行珠心算表演和交流,得到日本珠算专家的赞赏,2001年以高分考入中央财经大学,就读注册会计师专业,毕业时各科成绩优秀,入选可自动留京就业的范围,...     

电子封装和组装中的微连接技术之三

Sn基软钎料在室温下通常是塑性优良的自退火合金，具有优良的吸收应力性能，而且没有加工硬化等问题。因其独特的性能，软钎料能将不同膨胀系数、不同刚度和不同强度等级的材料连接到一起。因此，软钎料广泛应用于电子产品生产中。普通PCB(Printed Circuit Board)的设计与制造几乎违背了所有的力学结构设计原则，如果不是由于软钎料所具有的这种力学匹配能力，那么印刷电路板技术可能就不会存在了。其中，Sn／Pb软钎料在电子工业中一直广泛的重用，     

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。     

三(2-苯并咪唑亚甲基)胺硝酸镍(Ⅱ)配合物的合成及结构

三（２－苯并咪唑亚甲基）胺简称ＮＴＢ与Ｎｉ（Ⅱ）的硝酸盐形成配合物Ｃ２８Ｈ３５Ｎ９Ｏ９Ｓ２Ｎｉ。本文报道其合成，红外光谱及晶体结构。该化合物为三斜晶系，空间Ｐ１↑－，ａ＝９．６５０（３），ｂ＝１２．７１６（２），ｃ＝１４．４３６Ａ，α＝１１．４６（２），β＝９１．６６（３），γ＝９７．５５（２）°，Ｖ＝１７１８（２）Ａ＾３，Ｚ＝２，Ｆ（０００）＝７９３，Ｄｃ＝１．４８ｇ／ｃｍ＾３，Ｍｒ＝７６４．１     

交替三线性分解算法与反相高效液相-二极管阵列检测方法相结合同时测定苯二酚的位置异构体

 利用交替三线性分解算法与反相高效液相 二极管阵列检测 (RP HPLC DAD)相结合 ,在洗脱时间为1 0 86min～ 1 399min(间隔 1 / 1 50min)、紫外吸收波长为 2 68nm～ 2 98nm(间隔 1nm)时对苯二酚位置异构体的重叠及光谱体系进行了分辨研究。分辨结果与实际结果一致。同时测定了水溶液中共存的邻苯二酚、间苯二酚和对苯二酚的含量 ,回收率分别为 (1 0 0 1± 1 0 ) % ,(99 4± 1 4) % ,(1 0 0 5± 1 7) %。研究结果表明 :该方法定量快速准确 ,实验操作步骤简单 ,解决了在干扰物存在条件下三者很难同时分辨的问题。     

音乐物联网的设计与研究

音乐物联网(Internet of musical things,IoMusT)是一个涉及多学科、多专业的综合工程,以往的研究都是单一的从某一个方面着手,缺乏一个统一的研究框架,完整的研究体系还不健全。研究重点是从工程的角度定义音乐事件,并结合当下互联网各个环节的技术特性,从工程的角度定义音乐事件,构造一个小范围的IoMusT生态系统,从软硬件方面测试IoMusT性能,进而验证IoMusT设计架构效。     

钽离子掺杂对LiFePO4 / C物理和电化学性能的影响

采用PAM(聚丙烯酰胺)模板-溶胶凝胶法在惰性气氛下合成钽掺杂的LiFePO₄/C复合正极材料，考察了钽对目标化合物的物理和电化学性能的影响。研究结果表明，0.33C的电流下充放电时，掺杂前后第2个循环的放电容量分别为138.6 mAh·g^-1和155.5 mAh·g^-1，循环20次后容量为141 mAh·g^-1和156 mAh·g^-1。电化学交流阻抗表明，掺杂后的材料阻抗R_ct从180 Ω减小到120 Ω。振实密度比掺杂前提高0.312 g·cm^-3。     

面向MEMS封装的微钎料球键合技术

微钎料球键合技术是一种成本低、适应性强,可靠性好的键合技术,容易与现有的IC自动化设备集成。微钎料球键合技术结合倒扣封装可以实现低成本、高密度以及高可靠性的MEMS封装;而且具有自对准或者自组装的功能,在MEMS封装中获得了广泛的应用。准确地预测微钎料球键合对于MEMS自组装的影响依赖于动态模型的发展。微钎料球键合技术的出现推动了标准化的MEMS封装工艺的进程。