Yb3+掺杂KY(WO4)2激光晶体生长、结构与光谱分析

采用顶部籽晶提拉法(TSSG)生长出Yb:KY(WO₄)₂(Yb:KYW)激光晶体.对预烧后的原料及晶体进行了XRD分析，结果表明，分别在920℃和600℃预烧8h后的熔质和助熔剂基本上形成一相，抑止了实验中的挥发问题；所生长的晶体为β-Yb:KYW，计算其晶格常数为a=1.063nm，b=1.034nm，c=0.755nm，β=130.75°.测得不同厚度样品的吸收光谱，结果表明样品在933nm和981nm有较强的吸收峰，计算出主峰981nm的吸收截面σ关键词： Yb:KYW TSSG法 晶体结构 光谱参数     

三维列联表精确概率检验之探讨

当样本较小时,列联表分析需作精确概率检验.本文着重就三维列联表讨论多维列联表的精确概率检验方法,并讨论了可用观察频数直接算得概率值的条件.     

贝壳固硫过程热重研究

利用LCT-2型热天平对贝壳的固硫反应过程进行了实验研究。探讨了贝壳在含SO2模拟烟气气氛下的固硫能力、温度特性及SO2浓度对其钙利用率的影响特性;并利用JXA-840扫描电镜实验观察了贝壳与石灰石微观结构特性的主要差别。结果表明:贝壳具有良好的微观结构特性和固硫反应活性,其最佳固硫反应温度比石灰石高出约100℃,大部分贝壳更适合作900~1000℃温度下的燃煤固硫剂。     

星载SAR距离模糊分布规律及其改进设计

本文提出了一种不加大天线尺寸而又使距离模糊满足要求的新方法，它能够在保持原有天线尺寸不增大的情况下实现宽测绘带的高质量成象。这种方法采用交替发射线性调频斜率完全相反的调频信号，在对回波信号进行距离压缩时，由于主要模糊区回波信号与参考函数失配就被大大地抑制，从而使距离模糊大大改善并得到较宽的测绘带。     

对师专物理实验教学目标的新构想

对师专物理实验教学目标的新构想荆宝生（洛阳师范高等专科学校４７１０２２）引言实验技能是师范院校物理专业学生毕业后从事教学工作必不可少的能力之一．据近年来对中学物理教学现状的调查结果表明，许多中学（尤其是农村中学）物理实验并未按照教学大纲的要求开设．究...     

8阶开关电容滤波器MAX29X系列的应用设计

ＭＡＸ２９Ｘ是美国ＭＡＸＩＭ公司生产的８阶开关电容低通滤波器，由于价格便宜，使用方便，设计简单，在通讯，信号处理等领域得到了广泛的应用。本文就其工作原理，电气参数，注意事项等问题作了讨论，具有一定的实用参考价值。     

低信噪比直扩信号的周期特征检测与参数估计

本文介绍了直接序列扩频信号的周期特征检测与参数估计的方法。该方法运用周期谱理论,利用直扩信号所固有的内在周期性进行检测。利用修正的时间平滑周期谱算法(FAM),可以在周期频率轴上准确地估计出直扩信号的载频、码速率、伪码周期等参数。在此基础上提出了周期倒谱检测的方法。通过计算机模拟结果表明,该方法对低信噪比直扩信号具有很高的检测概率和参数估计精度。     

粘度法预测聚乙二醇/壳聚糖体系的相容性

甲壳素在自然界的含量很大，仅次于纤维素，是一种颇具应用潜力的天然高分子．可由甲壳素经脱酸基化制得壳聚糖．由于其分子中存在氨基，因此能溶解干酸性水溶液中，并以聚电解质的形式存在，近来用壳聚糖制得的纤维膜应用于药物、食品等的分离和纯化、污水的处理，分离效果好，且不带入任何化学杂质．在壳聚糖纤维膜制作及与纤维的混纺过程中，都要探讨它与其它相应高聚物的相容性[1]．我们以相容的壳聚糖（chitosan）／聚乙二醇（PEG）体系为例，采用粘度法讨论其分子间的相互作用，并预测它们的相容性．壳聚糖的基本结构为1实验部分1.1…     

Yb3+:KY(WO4)2晶体生长与光谱性能

采用泡生法生长YbKYW晶体, 通过XRD分析确认所生长的晶体为β-YbKYW. TG-DTA测量结果表明, 晶体的熔点为1045 ℃, 相变温度为1010 ℃. 测得晶体红外光谱和拉曼光谱, 对其峰值所属振动的归属进行了指认, 并测量了晶体的吸收光谱和荧光光谱. 结果表明, YbKYW晶体在940, 980 nm附近有很强的吸收峰, 主峰980 nm处的吸收截面积为1.34×10-19 cm2;该晶体在990, 1010, 1030 nm附近都有较强的荧光发射峰, 其中最强发射峰1030 nm的发射线宽高达16 nm, 有望作为可调谐激光器的增益介质. 计算得其1030 nm受激发射截面积为3.1×10-20 cm2.     

InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。