单边接地MESFET及其寄生效应的分析模型

本文介绍了栅宽为150μm和240μm两种单边接地MESFET制造工艺及其在单片电路中的应用。这种器件结构可减小器件占用的GaAs芯片面积,提高电路布线的灵活性,并已应用于12GHz低噪声放大器GaAs单片电路,取得了良好效果。本文也给出了这种器件寄生效应的分析模型,并计算讨论了栅靶、空气桥以及接地块等寄生元件对器件的散射参数和噪声参数的影响。     

基波激励和次谐波激励参量放大器特性的分析

本文主要结果有三:第一,推导出基波激励和次谐波激励参量放大器的优值、功率增益、和通带等主要特性,并就这些特性对基波激励源的和次谐波激励源的参量放大器进行比较;第二,通过半导体二极管非线性电容的谐波分量的分析,在激励电压、偏压和放大器的特性间得出定量关系,并且对给定放大器特性求出激励源幅度和频率的稳定要求;第三,推导出放大器的有效噪声,并给出最低有效噪声的设计条件。以上特性的探讨和二极管损耗、信号迴路和镜象迴路通带比、匹配等因子结合在一起进行,使所得结果更具有实际意义。最后举出一数字例子,说明应用本文结果来设计参量放大器的一种可能步骤。 关键词：     

GaAs单片集成X波段低噪声放大器

<正> 1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其电阻率大于10~7Ω·cm,利用汽相外延生长出低噪声MESFET所需的缓冲层、有源层和n~+欧姆接触层。低噪声MESFET采用了凹槽铝栅结构,栅长为0.6μm,栅宽为150μm。利用器件的结构参数,计算出其等效电路参数、散射参数和最佳噪声参数,电路的输入和输出匹配网络均采用典型的“Г”型网络,既能有效地减小电路的驻波比,又便于施加直流偏置。由于电路为小信号工作,微带线导带采用     

单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器

<正>为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较大的进展.研制的单级单片低噪声FET放大器,芯片尺寸为1×1.2mm,在10.5～12.4GHz带宽内测试,噪声系数为3～3.5dB,相关增益为6.0dB.     

S波段GaAs单片可变增益放大器

<正>微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm,双栅     

X波段单片集成空气桥源MESFET放大器

<正> 1983年日本的H.Itoh等首先将空气桥源MESFET应用于12GHz单片集成低噪声放大器,实现器件的单边接地。但是,由于器件采用叉指结构,无法采用斜蒸发工艺缩短栅长。1986年,南京电子器件研究所也研制成空气桥源MESFET。这种器件结构适合目前广泛采用的凹槽斜蒸栅工艺,有利于亚微米栅的制备,并已将该器件应用于X波段GaAs单片集成放大器电路。其测量性能见表Ⅰ。     

采用反馈法使微波低噪声FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波的研究

本文讨论了采用反馈法的优点,对应用反馈技术使微波低噪声FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波问题进行了研究分析,讨论了放大器的设计,给出了计算和实验结果。在7.6～9GHz下,两级放大器增益18dB,噪声系数小于2.4dB,输入驻波小于2.1。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。     

12GHz单片组合低噪声GaAs MESFET放大器

本文叙述了12GHz单片组合的低噪声GaAs MESFET放大器的设计和制造.每级单片放大器包含一个有源元件FET、一个隔直电容和两个射频旁路电容.在11.7～12.2GHz范围内,单级放大器增益6.0dB,噪声系数3～3.5dB,三级放大器增益16～18dB,噪声系数≤4.0dB.     

Ku波段O-π单片集成移相器

<正>自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,逐渐取代了采用PIN管作为控制器件的移相器.