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无线电
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1
1.
LP-MOCVD制作InGaAs/InPPIN光电二极管
刘宝林
黄美纯
陈朝
陈丽容
陈龙海
杨树人
陈伯军
王本忠
范爱英
李正庭
刘式墉
《半导体光电》
1995,(4)
采用LP-MOCVD制作了InGaAs/InP平面型PIN光电二极管。器件光敏面直径为75μm,采用Zn扩散形成PN结,-6V偏置下其暗电流低达8~13nA;反向击穿电压为60V(1μA)。在没有增透膜时,对1.3μm注入光响应度为0.56A/W,光谱响应范围为0.90~1.70μm。
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