通信行业安全生产管理平台设计与实现

通信行业安全生产管理是各运营商生产经营工作稳定运转的重要保障,安全生产信息化管理平台的构建是企业管理的重要环节。文章介绍了通信行业安全生产信息化管理平台主要功能和整体架构,描述了安全生产管理平台的主要模块及其功能。     

新一代应急指挥调度通信系统研究

以通信可靠、快速有效、指挥分级、信息共享的原则为出发点,新一代应急指挥调度通信系统集成了多项最新的现代通信技术及其成果,并将人工智能技术、辅助决策及传感器技术等应用于其中,通过有效的整合、精简高效的组织关系和强大丰富的应急通信手段,使其能广泛应用于政府机关、部队、安全部门处理突发事件及自然灾害救险应急通信,并且可满足各类需要在野外恶劣条件下作业的部门的通信使用要求。     

部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应

采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力.     

浅析充放电对蓄电池性能的影响

具体分析了充放电对蓄电池性能的影响以及蓄电池的充放电特性和浮充工作特性，归纳了影响蓄电池寿命的主要因素和检测蓄电池寿命的简易方法。     

通信大楼电源系统防雷浅析

本文简要阐述了雷击的产生和危害,综合分析了通信大楼电源系统防雷保护的实施原则,并归纳了防雷保护的技术措施。     

注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响

研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响.     

埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响.实验发现，与不注氮的SIMOX基片相比，由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加，迁移率略有上升，并趋于饱和.分析认为，电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现，随氮注入剂量的提高，nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是，对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现，用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件. 关键词： SOI nMOSFET 氮注入 电子迁移率 阈值电压     

新一代末梢站点能耗数字化管理系统设计探究

根据国家推进能源数字化智能化发展规划以及通信板块大模型建设规划,结合当前末梢站点在能耗传送、分配与管控方面存在的主要不足,本文重点从生产安全、节能降耗和管理效能3个方面,针对末梢站点能耗的输入逻辑、智能分配、柔性变换、自动控制、自动采集、动态监控、指标体系、智能交互、综合分析、可视化、结果应用等管理模块提出设计规划,对新一代末梢站点能耗数字化管理系统的设计进行了探究。     

部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应

研究了采用向SIMOX圆片埋氧层中注入F离子的方法来改善SIMOX的抗总剂量辐射能力，通过比较未注F样品和注F样品的辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压，发现F具有抑制辐射感生PMOSFET和NMOSFET阈值电压漂移的能力，并且可以减小NMOSFET中由辐照所产生的漏电流。说明在SOI材料中前后Si/Si02界面处的F可以减少空穴陷阱浓度，有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力。     

埋氧注氮工艺对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的辐射硬度的影响

研究了埋氧注氮对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的总剂量辐射硬度所造成的影响。注入埋氧的氮剂量分别是8×1015 , 2×1016 和1×1017cm-2。实验结果表明，辐照前，晶体管的阈值电压随氮注入剂量的增加向负方向漂移。在正2V的栅偏压下，经5×105 rad(Si)的总剂量辐照后，同埋氧未注氮的晶体管相比，埋氧注氮剂量为8×1015 cm-2的晶体管呈现出了较小的阈值电压漂移量。然而，当注氮剂量高达2×1016 和 1×1017cm-2时，所测大多数晶体管的顶栅氧却由于5×105 rad(Si)的总剂量辐照而受到了严重损伤。另外，对于顶栅氧严重受损的晶体管，其体-漏结也受到了损伤。所有的实验结果可通过氮注入过程中对顶硅的晶格损伤来解释。