非接触式IC卡电源产生电路原理与设计

文中所述电源产生电路是针对非接触式IC卡而设计,是卡内RF接口电路的关键技术.它在卡的正常工作距离(＜10 cm)内,对从读卡器耦合的电磁波信号进行整流、滤波、稳压,从中获得持续稳定的直流工作电源电压,以维持卡内电路正常工作需要.并采用1.2 μm工艺模型,用Hspice对电路进行模拟,可以得到3.5 V的直流工作电源电压,成功解决了非接触式卡内没有电源系统,需要由读卡器通过无线方式供电的问题.     

顶发射白光OLED微型显示器的蓝光掺杂特性研究

白光OLED微型显示器在信息显示领域具有重要的应用。采用真空镀膜系统,依次蒸镀Ag/ITO复合薄膜作为阳极结构,共蒸制备Mg∶Ag复合膜作为半透明阴极结构,NPB作为空穴传输材料和黄光主体材料,rubrene作为黄光掺杂料,AND作为蓝光主体料,DSA-Ph作为蓝光掺杂料,Alq3作为电子传输材料,以结构和工艺简化的蓝、黄光互补色来实现白光,通过共蒸发形式制备了结构为Ag/ITO/NPB/NPB∶rubrene（1.5%）/ADN∶DSA-Ph（x%/x=2,5,8）/Alq3/Mg∶Ag的白光OLED微型显示器,利用由Photo Research PR655光谱仪、Keithley 2400程控电源组成的光谱测试系统对器件的光电性能进行表征,研究了蓝光掺杂比对白光OLED微型显器性能的影响。结果表明,随着蓝光掺杂比的增加,白光OLED微型显示器的亮度先增加后降低,蓝光、黄光峰位有所偏移,色坐标发生一定的漂移,蓝光色纯度增加,可通过调控发光材料掺杂比实现白光OLED微型显示器性能的可控制备。初步优化获得的蓝、黄混合白光OLED微型显示器的器件,当驱动电压为5.0 V时,器件亮度达到3 679 cd·m-2,CIE坐标为（0.263,0.355）。     

砷化镓单电源电路研究

本文对BFL单元电路进行了改进，首次提出一种新型的GaAs单电源单元电路，并研究了该单元电路与SiTTL电路的接口电路，实验结果表明该单元电路的设计是可行的，适合于制作中、小规模集成电路．     

基于分离算法实现高铁无线网综合分析方法

为了解决传统的高铁无线网保障方式无法区分高铁用户和公网用户的问题,本文提出了高低速分离算法,将高铁车厢内用户进行剥离,并根据这些用户的指标情况来评估高铁网络质量,使高铁保障方案更加具有针对性;     

基于砷化镓SDFL的单电源电路设计

本文在砷化镓ＳＤＦＬ单元电路基础上提出了一种新型的与ＳＤＦＬ工艺完全兼容的单电源单元电路，并对该电路进行了分析计算，得到了优化的尺寸，同时研究了开启电压Ｖｔｈ和电源电压ＶＤＤ分别变化±１０％时，电路传输特性曲线的变化情况，最后用实验结果证明了该电路设计的合理性．     

砷化镓ASIC电路实用库的研究

本文提出了一种以ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ双层金属布线工艺和ＳＤＦＬ电路形式为基础的ＧａＡｓ６００门门阵列基片的结构，阐述了实用ＧａＡｓ单元库的设计准则和方法，并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑．实用ＧａＡｓ门阵列设计系统已在ＣＯＭＰＡＣＡＤ工作站上建立，文中给出一个用该系统设计的应用实例．     

超高速单电源GaAs判决再生电路

设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .5Gbit/s系列光通信系统