高精度振荡器及峰值固定斜坡补偿电路设计

设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5 μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为500 kHz,外部EN同步振荡频率为200 kHz到2 MHz;在3～5.5 V电源电压下及-40～125 ℃温度范围内,振荡器的频率偏移在±3%以内,内部时钟CLK占空比偏移在±4%以内,补偿电压峰值偏移在±8%以内。该振荡器性能良好,已成功应用于一款DC/DC降压开关电源芯片。     

无二极管的高压BUCK芯片低功耗自举供电电路设计

BUCK芯片中传统的自举电路都需要一个肖特基二极管,由于工艺限制,用普通二极管并联得到,这种做法很占芯片面积,不利于芯片集成。采用新颖的自举电路,用一个高压PMOS管代替了传统结构中的二极管,其电流导通能力更强,导通压降更小,并且能够在更广泛的工艺上实现。该电路还实现了整流管全集成供电,相对于用普通二极管做的自举电路模块节省了约8.9%的面积,并且进一步降低了功耗。电路基于0.5μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件进行电路仿真,在芯片系统典型应用环境下仿真得到BS引脚电压比LX引脚高约4.56 V,静态电流42.82μA。     

高精度振荡器及峰值固定斜坡补偿电路设计

设计了一款具有充放电电容的高性能振荡器。该振荡器基于0.5μm BCD工艺库,利用Cadence和Hspice软件,在芯片系统典型应用环境下仿真,得到的内同步振荡频率为500kHz,外部EN同步振荡频率为200kHz到2MHz;在3~5.5V电源电压下及-40~125℃温度范围内,振荡器的频率偏移在±3%以内,内部时钟CLK占空比偏移在±4%以内,补偿电压峰值偏移在±8%以内。该振荡器性能良好,已成功应用于一款DC/DC降压开关电源芯片。