1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．     

1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器

本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．     

GaP／Si异质结的制备及特性

用低压预处理液相外延方法在Ｓｉ衬底上生长了ＧａＰ外延层．解决了由于硅衬底极易氧化而造成的局部生长问题．从外延层中Ｓｉ的含量、固相组分的化学计量比、表面形貌等方面来比较，以Ｓｎ为生长熔体好于Ｇａ或Ｉｎ．外延片表面的小平台和台阶状结构是由于晶格失配的应力场分布不均匀造成的．位错腐蚀结果证明了这种分析．ＬＰＥ生长的ＧａＰ／Ｓｉ片光致发光峰值波长为５４０ｎｍ．     

近1.3μm室温连续工作的InP/In_xGa_(1-x)P_y As_(1-y)双异质结激光器

用液相外延法制备了～1.3μm波长的InP/In_xGa_(1-x)P_yAs_(1-y)双异质结激光二极管。室温脉冲阈电流密度最低是j_(th)≈1800A/cm~2;室温直流工作阈值电流I_(th)=300mA,阈电流密度j_(th)=3600A/cm~2。制备的二极管是单台型和电极条形两种结构。     

氧化物隔离条形双异质结激光器

近年来半导体激光器的研制工作有了很大的进展。特别是在光导纤维通讯和光信息处理方面半导体激光器得到了越来越广泛的应用。为了有效地耦合到低损耗单模光纤中并达到易于调制的目的,实现基横模和单纵模操作是人们所期望的。因而,近年来国外对半导体激光器模式问题的研究日益增多。据文献报导,有的研究者研制了新的器件结构来实现激光器的单模运转,有的在腔面蒸抗反射膜;有的采用外腔控制;也有的采用深扩Zn的方法来稳定激光器的横模,而短腔激光器易于实现单纵模工作。为此,我们研究了不同深度扩Zn对半导体激光器模式的影响,也对短腔激光器进行了一些实验工作,初步观察到了一些现象。     

高频大功率InGaAsP/InP SPB-BC激光器

在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光器结构模型进行了理论分析。采用p-InP衬底,最大输出功率为80mW。500μm腔长激光器,它的调制带宽可以达到6.0GHz。     

电流扩展效应对氧化物条形激光器阈值的影响

本文报道了电流扩展效应对氧化物隔离条形激光器阈值影响的一些实验研究工作.在I《I_(th)下,用荧光近场分布观测并比较了不同条宽、最外两层掺杂和厚度不同激光器的有源区载流子分布情况.