基于ZnO-CuO纳米线结构的新型光电器件

为了获得高效的整流器件和微型短波长的发光器 件,采用原子层沉积(ALD)法和水浴法合成了具有 ZnO-CuO的结构器件。对制备的样品进行了光学和电学特性的检测,获得了22.79的整流比和17.69的理想 因子,且门限电压和整流比等特性随CuO厚度增加而减小。在光致发光(PL)特性上,具有 显著的由ZnO带电激发的385nm紫外光波峰,同时伴有由深能级散射 激发的572nm的可见光波峰,且随着CuO厚度的增加紫外光波峰减小 ,可见光峰变大。实验结果表明,本文制备的器件可以应用在纳米型二极管、光电探测器以 及微型光源等领域。