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波状p基区IEC-GCT制造工艺研究 总被引：1，自引：1，他引：0
波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IECGCT的RBSOA特性与门极开关均匀性.提出该器件的工艺制造方案,数值模拟结果表明建议方案可行,所得器件结构参数符合目标要求.模拟并分析了门极挖槽工艺对波状基区形状的影响及铝杂质扩散对阳极结构的影响,挖槽工艺顺序和挖槽深度对阴极掩蔽... 相似文献
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