微波辅助合成邻羟基苯丁酮

利用微波辅助,以丁酸苯酯为原料,经Fries重排制备了邻羟基苯丁酮.通过单因素实验考察了反应时间、催化剂用量及反应温度对收率的影响,正交实验确定了最优工艺条件.结果表明,当n(催化剂):n(丁酸苯酯)=1.6,反应温度120℃,反应时间8 min时,丁酸苯酯完全转化,邻羟基苯丁酮收率45.0%.     

台面PN结InSb红外探测器响应时间研究

分析了光伏In Sb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61~0.56、响应时间为20~60 ps的锑化铟(In Sb)红外探测器,实验制备了台面p~+-on-n结构的探测器。通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合。采用脉冲响应测试了In Sb探测器的响应时间(0.3μs),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距。     

锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计

通过理论分析计算获得了光伏型InSb红外探测器的的优化掺杂浓度及结深.利用LSS理论估算了Be+注入InSb的射程及标准偏差,同时设计了与优化掺杂浓度及结深相对应的注入条件.实验所得典型的R0A为值4.7×103～3×103 Ω·cm2,量子效率为0.65～0.7之间.实验R0A值及量子效率与理论结果基本吻合.此工作对离子注入工艺有一定的参考价值.     

InAs/GaSbⅡ类超晶格与HgCdTe红外探测器的比较研究

HgCdTe、QWIP和InAs/GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选。主要对比分析了HgCdTe和InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可控、工作温度高、载流子寿命长、暗电流低和均匀性好等优点,使其在甚长波、多色以及非制冷红外焦平面阵列等方面具有广阔的发展应用前景。     

Persistent photoconductivity of amorphous Hg0.78Cd0.22Te: In films

The persistent photoconductivity (PPC) of amorphous Hg_0.78Cd_0.22Te: In films has been studied under illumination by super-bandgap light (a He-Ne laser, hν=1.96 eV, 30 mW/cm²) and sub-bandgap light (1000 K Blackbody source, the largest photon energies hν_p=0.42 eV, 8.9 mW/cm²) in the range of 80-300 K. The persistent photoconductivity effect increases with increase in illumination intensity and illumination time. However, it decreases with increase in working temperature. The non-exponential decay of photoconductivity implies the presence of continuous distribution of defect states in amorphous Hg_0.78Cd_0.22Te: In films. These results indicate that the decay of photoconductivity is not governed by the carrier trapped in the intrinsic defects, but it may be due to light-induced defects under light illumination.     

噪声作为红外探测器可靠性评价的探讨

红外探测器的可靠性是一个重要的指标,当前利用噪声来表征器件的可靠性受到了广泛的关注.文分析了红外探测器的电噪声,它包括热噪声、散粒噪声、g-r噪声和1/f噪声,再结合g-r噪声和1/f噪声的产生,对噪声用作InSb光伏探测器可靠性的评价进行了详细分析.