磁导率近零太赫兹超材料设计的仿真分析

提出了一种以金属-电介质复合结构为基本单元的磁导率μ近零的太赫兹超材料。在太赫兹波垂直入射的情况下,当电场为横磁偏振时,在1.44THz谐振频率附近,可得到μ实部的最优值为0,μ近零的带宽(|μ|0.05)约为0.2THz;当电场为横电偏振时,在0.978THz谐振频率附近,得到μ实部的最优值为0,μ近零的带宽(|μ|0.05)约为0.1THz。在固定的几何参数下,通过改变偏振方向可以实现该超材料在不同频段内的近零效果。分析了聚酰亚胺介质层厚度、金属层数以及入射角度对磁导率近零效果的影响,并讨论了该结构的容差范围。     

基于站立结构的宽带太赫兹超材料增透膜设计

设计了一种基于站立结构的太赫兹超材料增透膜。利用双开口环站立结构实现了对太赫兹波段反射的抑制,使得该增透膜的反射率最低减小至0.001,反射率在0.1以下的带宽可达0.45THz。分析了该超材料增透膜的工作机理,研究了两个开口环之间的距离以及聚合物基底的厚度对超材料增透膜性能的影响,并与单开口环结构的增透膜进行了性能对比。仿真及分析结果表明,所设计的超材料增透膜具有优异的宽带反射抑制性能和较大的制作参数容差特性。