预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响

对注F和未注F CC4007器件在100℃高温老化后的Co60辐照特性进行了研究．研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累,损害了器件的可靠性．可见,栅介质中F离子的引入可以明显提高器件的可靠性．     

薄栅氮化物的击穿特性

研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果     

运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应

对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET-Bi,MOS-Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的"后损伤"现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别.     

反馈流量比法及其在滴定分析教学中的意义

反馈流量比法是一种新型自动滴定分析法之一,介绍了该方法的基本原理并结合多年的教学经历,提出了滴定分析教学中的一些体会。这不仅丰富了教学内容,拓展了学生的专业视野,也可以提高学生的学习兴趣。     

四溴四苯基卟啉钯金属配合物的合成与功能研究

合成了７,８,１７,１８－四溴－５,１０、１５,２０－四苯基卟啉钯金属配合物,通过电子光谱,元素分析,ＩＲ,＾１Ｈ ＮＭＲ测定,确定配合物的组成,同时经放氢功能研究证明该配合物具有光敏性。     

Dy~(3+),Sm~(3+)共掺杂Ca_2A1[AlSiO_7]荧光粉的发光性质研究

采用高温固相反应法合成了一系列Dy~(3+)、Sm~(3+)单掺杂和共掺杂铝方柱石发光材料,详细地研究了Dy~(3+)、Sm~(3+)掺杂对铝方柱石的结构和发光性质的影响。XRD结果表明Dy~(3+)、Sm~(3+)离子单掺杂和共掺杂样品均形成了单相的铝方柱石结构化合物,并没有改变基质的晶体结构。发光光谱表明,通过调节Dy~(3+)、Sm~(3+)离子的掺杂比例,发光颜色可实现从黄色到黄白色的可控调节。此外,发射和激发光谱表明,Dy~(3+)与Sm~(3+)离子之间存在有效的光谱重叠,暗示着Dy~(3+)→Sm~(3+)的能量传递。荧光寿命衰减结果进一步证实Dy~(3+)与Sm~(3+)离子之间是一种无辐射共振能量传递方式。     

5-[2-(对苯偶氮苯氧基)丁氧基]苯基-10,15,20-三[(对甲氧基苯基)]卟啉及其金属配合物的合成

以5-[2-(4-溴丁氧基)苯基]-10,15,20-三(对甲氧基苯基)卟啉和对羟基偶氮苯为原料,经取代反应合成新化合物5-[2-(对苯偶氮苯氧基)丁氧基]苯基-10,15,20-三[(对甲氧基苯基)]卟啉(2),2经配位反应合成了金属铜,锌配合物(2a)和(2b),其结构经UV-Vis,1H NMR,IR和元素分析表征。     

飞秒激光等离子体中电子热传导现象的数值模拟

采用相对论电磁粒子模拟程序研究了飞秒激光等离子体相互作用中产生的电流密度、电场和自生磁场的发展演化过程。介绍了电子的非局域热输运的基本特性以及激光加热过程中温度烧蚀前沿稠密等离子体子区的预热效应、临界面附近的限流效应,以及冕区的反扩散与限流效应,得到了经典Spitzer-Harm理论描述的电子热传导随自生磁场的演化情形。数值模拟表明:在线性强激光作用下,由于电子初始时刻的无规则热运动,在等离子体上激发电磁不稳定性,而不稳定性激发的强电磁场使电子束在非常短的距离内沉积能量,同时对在激光有质动力推开电子时形成的超热电子能量输运产生抑制作用。     

SPE逐步分离技术应用于常用果蔬防腐保鲜剂残留量检测的研究

建立固相萃取逐步分离-紫外分光光度法测定果蔬中残留的噻苯咪唑、邻苯基苯酚、联苯的检测方法。样品经高速涡轮旋转石油醚∶乙酸乙酯(2∶1)提取,30%甲醇溶液上样,C18固相萃取柱富集、净化、分离三种残留防腐剂,分别采用30%乙醇(酸,pH 2.5)溶液、55%甲醇(碱,pH 11.5)溶液、75%乙醇(酸,pH2.5)溶液依次洗脱分离固相柱中被保留的噻苯咪唑、邻苯基苯酚、联苯,对洗脱液进行紫外分光光度法检测。结果表明:三种防腐剂在1～10μg.mL-1的范围内呈良好线性关系,相关系数r>0.999 8。样品加标回收率为72.1%～103.5%,相对标准偏差在1.2%～7.7%,样品最低检测限分别为0.09,0.5和0.1μg.mL-1。该方法简便、灵敏、快速,能够满足同时测定果蔬中防腐剂残留量的要求。     

PMOS剂量计的退火特性

研究了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现.结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素,较高退火温度下,退火速率高,幅度大;相同退火温度下,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用,其退火幅度也较大.在180℃,零偏条件下获得了最快的100％的退火效果;用模型讨论了实验结果.