折叠插值ADC边界效应的研究

基于折叠插值ADC的研究,改善了平均电阻网络造成的边界效应。采用环形平均电阻网络、边界阻值取为等效电阻的方法来解决边界效应,同时提出了一种新型的边界折叠器结构。该结构应用于第一级边界折叠结构,能有效补偿边界过零点偏移,得到趋于准确的边界过零点,提高了ADC性能。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,在改善边界效应后对ADC进行仿真。结果表明,该ADC的ENOB为9.11 bit,SFDR为61.69 dB。