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为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13 相似文献
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In order to investigate the effects of a back surface field(BSF) on the performance of a p-doped amorphous silicon(p-a-Si:H)/n-doped crystalline silicon(n-c-Si) solar cell,a heterojunction solar cell with a p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H structure was designed.An n^+-a-Si:H film was deposited on the back of an n-c-Si wafer as the BSF.The photovoltaic performance of p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H solar cells were simulated.It was shown that the BSF of the p-a-Si:H/n-c-Si/n^+-a-Si:H solar cells could effectively inhibit the decrease of the cell performance caused by interface states. 相似文献
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本文为了提高傅里叶叠层成像的图像重建质量,提出基于离散剪切波变换的傅里叶叠层成像,将离散剪切波作为稀疏基,利用其多尺度和各向异性的特点对图像进行稀疏重构。实验证明:该算法能够显著提升图像重建质量,并且具有良好的稳定性和鲁棒性。 相似文献
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顺磁物质的自由能及磁熵效应关系 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种用系统自由能及热力学关系推导顺磁物质的磁熵效应关系的新方法,用这一方法得到的磁熵关系显示出比用传统方法导出的顺磁物质的磁熵效应关系式有更明确的物理意义,并得出结论,自旋熵只有在二阶近似下才有保持不变的特点;纳米粉的自旋熵和点阵熵都将降低。 相似文献
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扫描隧道显微镜 总被引:1,自引:0,他引:1
1982年,Binning和Rohrer研制成世界上第一台扫描隧道显微镜STM(ScanningTunelingMicroscope),是目前唯一具有原子级分辨率的实空间成像技术,当这两位科学家用STM观察到高序石墨表面原子的图像时,人们对微观世界的认识一下子从幻想和抽象的分析飞跃到对原子的直接观察和操纵.STM和其它的传统显微镜相比,光学显微镜、扫描电子显微镜的分辨率不够,而高分辨的透射电子显微镜虽然能够达到较高的分辨率,可它的制样异常麻烦,破坏了样品,而且在测量过程中离不开真空环境.STM因其可直接观察物体表面原子结构而不会对样品表面造成任何损伤. 相似文献
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We have prepared hydrogenated nano-amorph silicon (na-Si:H) films by using a hot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance (HW-MWECR) chemical vapour deposition (CVD) system. The films are deposited in two steps: in the first 9rain, a hydrogenated amorphous silicon layer is deposited by using hydrogen-diluted silane with a concentration of SiH4/(SiH4 H2) = 20%, and then a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer is deposited by using various highly hydrogen-diluted silane. The Raman TO-like mode peak of the films was found in the range 497-508cm^-1. When the silane concentration used for preparation of the nc-Si layer is 14.3%, the film has a large crystalline volume fraction of 65.4%, a wide optical band gap of 1.89eV and a low hydrogen content of 9.5 at.%. Moreover, the na-Si:H films rather than nc-Si possess high photosensitivity of about 10^5. 相似文献