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Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相。采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量。实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(〉5μm)的Cd沉积相,改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD)。在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能。 相似文献
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计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命,结果表明,低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程,而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理,通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn+结构对吸收区内的载流子进行耗尽,吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级,从而进一步降低器件暗电流。成功制备了InAsSb-基nBnn+器件,150 K下器件暗电流低至3×10-6 A/cm2,采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析,结果表明由于势垒层为p型掺杂,在吸收层形成耗尽区,导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制,工作温度低于180 K,器件暗电流受限于产生复合电流,工作温度高于180 K,器件暗电流受限于扩散电流。 相似文献
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